2025-02-22T17:15:47-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: Query fl=%2A&wt=json&json.nl=arrarr&q=id%3A%22irk-123456789-111121%22&qt=morelikethis&rows=5
2025-02-22T17:15:47-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: => GET http://localhost:8983/solr/biblio/select?fl=%2A&wt=json&json.nl=arrarr&q=id%3A%22irk-123456789-111121%22&qt=morelikethis&rows=5
2025-02-22T17:15:47-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: <= 200 OK
2025-02-22T17:15:47-05:00 DEBUG: Deserialized SOLR response
Структура и твердость Ti-N- и Ti-Si-N-покрытий, осажденных из фильтрованной вакуумно-дуговой плазмы

Структура и твердость Ti-N- и Ti-Si-N-покрытий, осажденных из фильтрованной вакуумно-дуговой плазмы

Представлены результаты экспериментов по осаждению Ti-N- и Ti-Si-N-покрытий из фильтрованной плазмы вакуумно-дугового разряда с Ti- и Ti-7 вес.%Si-катодами при давлении азота 1·10⁻⁴ … 5·10⁻³ Торр и потенциале подложки 3…150 В. Установлено, что содержание примеси Si в Ti для пленок системы Ti-Si-N из...

Full description

Saved in:
Bibliographic Details
Main Authors: Васильев, В.В., Лучанинов, А.А., Решетняк, Е.Н., Стрельницкий, В.Е., Толмачева, Г.Н., Решетняк, М.В.
Format: Article
Language:Russian
Published: Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України 2009
Series:Вопросы атомной науки и техники
Subjects:
Физика радиационных и ионно-плазменных технологий
Online Access:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/111121
Tags: Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
id irk-123456789-111121
record_format dspace
spelling irk-123456789-1111212017-01-09T03:03:10Z Структура и твердость Ti-N- и Ti-Si-N-покрытий, осажденных из фильтрованной вакуумно-дуговой плазмы Васильев, В.В. Лучанинов, А.А. Решетняк, Е.Н. Стрельницкий, В.Е. Толмачева, Г.Н. Решетняк, М.В. Физика радиационных и ионно-плазменных технологий Представлены результаты экспериментов по осаждению Ti-N- и Ti-Si-N-покрытий из фильтрованной плазмы вакуумно-дугового разряда с Ti- и Ti-7 вес.%Si-катодами при давлении азота 1·10⁻⁴ … 5·10⁻³ Торр и потенциале подложки 3…150 В. Установлено, что содержание примеси Si в Ti для пленок системы Ti-Si-N изменяется от 1 до 6 вес.% и сильно уменьшается при подаче отрицательного потенциала смещения на под-ложку. Рентгенографически изучены структура, текстура, субструктура и напряженное состояние покрытий. Основными кристаллическими фазами в покрытиях являются TiN и твердый раствор (Ti,Si)N со структурой типа NaCl. В исследованном диапазоне концентраций кремния размер областей когерентного рассеяния (ОКР) в пленках (Ti,Si)N существенно не отличается от ОКР в TiN. Высокая нанотвердость полученных покрытий (33…39 ГПа) обусловлена крайне дефектной кристаллической решеткой и высоким уровнем сжимающих остаточных напряжений. Введение Si в TiN-покрытия увеличивает их твердость. Наведено результати експериментів по осадженню Ti-N- та Ti-Si-N-покриттів з фільтрованої плазми вакуумно-дугового розряду з Ti- й Ti-7 ваг.%Si-катодів при тиску N2 1·10⁻⁴ … 5·10⁻³ Торр и потенціалі підкладки 3…150 В. Встановлено, що вміст домішки Si в Ti для плівок системи Ti-Si-N змінюється від 1 до 6 ваг.% і сильно зменшується при подачі потенціалу зміщення на підкладку. Рентгенографічно вивчено структура, текстура, субструктура та напружений стан покриттів. Основними кристалічними фазами в покриттях є TiN і твердий розчин (Ti,Si)N зі структурою типу NaCl. У дослідженому діапазоні концентрацій кремнію розмір областей когерентного розсіювання (ОКР) у плівках (Ti,Si)N істотно не відрізняється від ОКР в TiN. Висока нанотвердість отриманих покриттів (33…39 ГПа) обумовлена вкрай дефектною кристалічною решіткою та високим рівнем стискаючих залишкових напружень. Введення Si в TiN-покриття збільшує їх твердість. Results of experiments on Ti-N and Ti-Si-N coatings deposition from the filtered vacuum-arc plasma with Ti and Ti-7 wt% Si cathodes at the nitrogen pressure range of 1·10⁻⁴ … 5·10⁻³ Torr and negative substrate potential of 3…150 V are presented. Si concentration in Ti-Si-N coatings is of 1…6 wt.% and is decreased when the value of the substrate potential increased. Structure, texture, sub-structure and stress level in the coatings were investigated by X-ray methods. TiN phase and (Ti,Si)N solid solution with the NaCl crystal structure were shown to be the main crystal phases in the coatings. At Si concentrations level achieved the value of the coherence area size in the (Ti,Si)N coatings is nearly of the same level as that in the TiN coatings. High nano-hardness of the coatings (33…39 GPa) is determined by the extremely defected crystal lattice and compressive stress of high level. Si introduction in the Ti-N coatings results in increasing in their hardness. 2009 Article Структура и твердость Ti-N- и Ti-Si-N-покрытий, осажденных из фильтрованной вакуумно-дуговой плазмы / В.В. Васильев, А.А. Лучанинов, Е.Н. Решетняк, В.Е. Стрельницкий, Г.Н. Толмачева, М.В. Решетняк // Вопросы атомной науки и техники. — 2009. — № 2. — С. 173-180. — Бібліогр.: 20 назв. — рос. 1562-6016 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/111121 539.21:621.793 ru Вопросы атомной науки и техники Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
language Russian
topic Физика радиационных и ионно-плазменных технологий
Физика радиационных и ионно-плазменных технологий
spellingShingle Физика радиационных и ионно-плазменных технологий
Физика радиационных и ионно-плазменных технологий
Васильев, В.В.
Лучанинов, А.А.
Решетняк, Е.Н.
Стрельницкий, В.Е.
Толмачева, Г.Н.
Решетняк, М.В.
Структура и твердость Ti-N- и Ti-Si-N-покрытий, осажденных из фильтрованной вакуумно-дуговой плазмы
Вопросы атомной науки и техники
description Представлены результаты экспериментов по осаждению Ti-N- и Ti-Si-N-покрытий из фильтрованной плазмы вакуумно-дугового разряда с Ti- и Ti-7 вес.%Si-катодами при давлении азота 1·10⁻⁴ … 5·10⁻³ Торр и потенциале подложки 3…150 В. Установлено, что содержание примеси Si в Ti для пленок системы Ti-Si-N изменяется от 1 до 6 вес.% и сильно уменьшается при подаче отрицательного потенциала смещения на под-ложку. Рентгенографически изучены структура, текстура, субструктура и напряженное состояние покрытий. Основными кристаллическими фазами в покрытиях являются TiN и твердый раствор (Ti,Si)N со структурой типа NaCl. В исследованном диапазоне концентраций кремния размер областей когерентного рассеяния (ОКР) в пленках (Ti,Si)N существенно не отличается от ОКР в TiN. Высокая нанотвердость полученных покрытий (33…39 ГПа) обусловлена крайне дефектной кристаллической решеткой и высоким уровнем сжимающих остаточных напряжений. Введение Si в TiN-покрытия увеличивает их твердость.
format Article
author Васильев, В.В.
Лучанинов, А.А.
Решетняк, Е.Н.
Стрельницкий, В.Е.
Толмачева, Г.Н.
Решетняк, М.В.
author_facet Васильев, В.В.
Лучанинов, А.А.
Решетняк, Е.Н.
Стрельницкий, В.Е.
Толмачева, Г.Н.
Решетняк, М.В.
author_sort Васильев, В.В.
title Структура и твердость Ti-N- и Ti-Si-N-покрытий, осажденных из фильтрованной вакуумно-дуговой плазмы
title_short Структура и твердость Ti-N- и Ti-Si-N-покрытий, осажденных из фильтрованной вакуумно-дуговой плазмы
title_full Структура и твердость Ti-N- и Ti-Si-N-покрытий, осажденных из фильтрованной вакуумно-дуговой плазмы
title_fullStr Структура и твердость Ti-N- и Ti-Si-N-покрытий, осажденных из фильтрованной вакуумно-дуговой плазмы
title_full_unstemmed Структура и твердость Ti-N- и Ti-Si-N-покрытий, осажденных из фильтрованной вакуумно-дуговой плазмы
title_sort структура и твердость ti-n- и ti-si-n-покрытий, осажденных из фильтрованной вакуумно-дуговой плазмы
publisher Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України
publishDate 2009
topic_facet Физика радиационных и ионно-плазменных технологий
url http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/111121
citation_txt Структура и твердость Ti-N- и Ti-Si-N-покрытий, осажденных из фильтрованной вакуумно-дуговой плазмы / В.В. Васильев, А.А. Лучанинов, Е.Н. Решетняк, В.Е. Стрельницкий, Г.Н. Толмачева, М.В. Решетняк // Вопросы атомной науки и техники. — 2009. — № 2. — С. 173-180. — Бібліогр.: 20 назв. — рос.
series Вопросы атомной науки и техники
work_keys_str_mv AT vasilʹevvv strukturaitverdostʹtinitisinpokrytijosaždennyhizfilʹtrovannojvakuumnodugovojplazmy
AT lučaninovaa strukturaitverdostʹtinitisinpokrytijosaždennyhizfilʹtrovannojvakuumnodugovojplazmy
AT rešetnâken strukturaitverdostʹtinitisinpokrytijosaždennyhizfilʹtrovannojvakuumnodugovojplazmy
AT strelʹnickijve strukturaitverdostʹtinitisinpokrytijosaždennyhizfilʹtrovannojvakuumnodugovojplazmy
AT tolmačevagn strukturaitverdostʹtinitisinpokrytijosaždennyhizfilʹtrovannojvakuumnodugovojplazmy
AT rešetnâkmv strukturaitverdostʹtinitisinpokrytijosaždennyhizfilʹtrovannojvakuumnodugovojplazmy
first_indexed 2024-03-30T09:15:12Z
last_indexed 2024-03-30T09:15:12Z
_version_ 1796149748503150592

Similar Items