Величина фотомеханического эффекта при освещении образца в конце процесса индентирования
Исследован фотомеханический эффект на (100) поверхности монокристаллического, бездислокационного Si в случаях начала и прекращения воздействия белым светом на разных стадиях процесса микроиндентирования. Показано, что при воздействии освещением в конце процесса индентирования, исходно осуществленног...
Збережено в:
| Видавець: | Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України |
|---|---|
| Дата: | 2011 |
| Автори: | , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Russian |
| Опубліковано: |
Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України
2011
|
| Назва видання: | Вопросы атомной науки и техники |
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/111432 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Цитувати: | Величина фотомеханического эффекта при освещении образца в конце процесса индентирования / Г.Д. Чирадзе, А.Б. Герасимов, Д.Г. Буачидзе // Вопросы атомной науки и техники. — 2011. — № 4. — С. 128-131. — Бібліогр.: 11 назв. — рос. |