Величина фотомеханического эффекта при освещении образца в конце процесса индентирования

• Дата: 2011
• Автори: Чирадзе, Г.Д., Герасимов, А.Б., Буачидзе, Д.Г.
• Формат: Стаття
• Мова: Russian
• Опубліковано: Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України 2011
• Назва видання: Вопросы атомной науки и техники
• Теми: Влияние на структуру и свойства конструкционных материалов внешних физических полей
• Онлайн доступ: http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/111432
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Цитувати: Величина фотомеханического эффекта при освещении образца в конце процесса индентирования / Г.Д. Чирадзе, А.Б. Герасимов, Д.Г. Буачидзе // Вопросы атомной науки и техники. — 2011. — № 4. — С. 128-131. — Бібліогр.: 11 назв. — рос.

Исследован фотомеханический эффект на (100) поверхности монокристаллического, бездислокационного Si в случаях начала и прекращения воздействия белым светом на разных стадиях процесса микроиндентирования. Показано, что при воздействии освещением в конце процесса индентирования, исходно осуществленного в темноте, величина относительного уменьшения микротвердости в три раза меньше по сравнению со случаем, когда индентирование осуществляется на предварительно освещенной поверхности. На основе данных, полученных в результате исследования временной релаксации размеров отпечатков, показано, что значения световых микротвердостей экспоненциально зависят от времени, в течение которого после прекращения освещения образец находится под нагрузкой. Приведены соответствующие объяснения полученных экспериментальных результатов.