Величина фотомеханического эффекта при освещении образца в конце процесса индентирования
Исследован фотомеханический эффект на (100) поверхности монокристаллического, бездислокационного Si в случаях начала и прекращения воздействия белым светом на разных стадиях процесса микроиндентирования. Показано, что при воздействии освещением в конце процесса индентирования, исходно осуществленног...
Збережено в:
Дата: | 2011 |
---|---|
Автори: | , , |
Формат: | Стаття |
Мова: | Russian |
Опубліковано: |
Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України
2011
|
Назва видання: | Вопросы атомной науки и техники |
Теми: | |
Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/111432 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
Цитувати: | Величина фотомеханического эффекта при освещении образца в конце процесса индентирования / Г.Д. Чирадзе, А.Б. Герасимов, Д.Г. Буачидзе // Вопросы атомной науки и техники. — 2011. — № 4. — С. 128-131. — Бібліогр.: 11 назв. — рос. |
Репозиторії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraineid |
irk-123456789-111432 |
---|---|
record_format |
dspace |
spelling |
irk-123456789-1114322017-01-10T03:05:34Z Величина фотомеханического эффекта при освещении образца в конце процесса индентирования Чирадзе, Г.Д. Герасимов, А.Б. Буачидзе, Д.Г. Влияние на структуру и свойства конструкционных материалов внешних физических полей Исследован фотомеханический эффект на (100) поверхности монокристаллического, бездислокационного Si в случаях начала и прекращения воздействия белым светом на разных стадиях процесса микроиндентирования. Показано, что при воздействии освещением в конце процесса индентирования, исходно осуществленного в темноте, величина относительного уменьшения микротвердости в три раза меньше по сравнению со случаем, когда индентирование осуществляется на предварительно освещенной поверхности. На основе данных, полученных в результате исследования временной релаксации размеров отпечатков, показано, что значения световых микротвердостей экспоненциально зависят от времени, в течение которого после прекращения освещения образец находится под нагрузкой. Приведены соответствующие объяснения полученных экспериментальных результатов. Досліджено фотомеханічний ефект на (100) поверхні монокристалічного, бездислокаційного Si у випадках початку і припинення впливу білим світлом на різних стадіях процесу мікроіндентування. Показано, що при впливі освітленням в кінці процесу індентування, який було здійснено в темноті, величина відносного зменшення мікротвердості в три рази менша в порівнянні з випадком, коли індентування здійснюється на попередньо освітленій поверхні. На основі даних, одержаних у результаті дослідження часової релаксації розмірів відбитків, показано, що значення світлових мікротвердостей експоненціально залежить від часу, протягом якого після приниження освітлення зразок знаходиться під навантаженням. Приведено відповідні пояснення одержаних експериментальних результатів. There is considered in a given work the photomechanical effect on (100) the surface of single-crystal dislocation-free Si in cases of the beginning and stopping the action by white light at the different stages of micro-indentation process. There is shown that in case, when action by illumination is carried out at the end of the indentation process, initially current in the darkness conditions, the value of the relative decrease of micro hardness is in three times less in comparison with the case, when indentation is carried out at the preliminary illuminated surface. Also, on the basis of data obtained in the issue of study of the temporal relaxation imprints’ dimensions, there is shown that values of the light micro hardness exponentially depend on the period of time, when the model is under the load after illumination ceases. There are given appropriate interpretations of the obtained experimental results. 2011 Article Величина фотомеханического эффекта при освещении образца в конце процесса индентирования / Г.Д. Чирадзе, А.Б. Герасимов, Д.Г. Буачидзе // Вопросы атомной науки и техники. — 2011. — № 4. — С. 128-131. — Бібліогр.: 11 назв. — рос. 1562-6016 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/111432 621.362 ru Вопросы атомной науки и техники Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України |
institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
collection |
DSpace DC |
language |
Russian |
topic |
Влияние на структуру и свойства конструкционных материалов внешних физических полей Влияние на структуру и свойства конструкционных материалов внешних физических полей |
spellingShingle |
Влияние на структуру и свойства конструкционных материалов внешних физических полей Влияние на структуру и свойства конструкционных материалов внешних физических полей Чирадзе, Г.Д. Герасимов, А.Б. Буачидзе, Д.Г. Величина фотомеханического эффекта при освещении образца в конце процесса индентирования Вопросы атомной науки и техники |
description |
Исследован фотомеханический эффект на (100) поверхности монокристаллического, бездислокационного Si в случаях начала и прекращения воздействия белым светом на разных стадиях процесса микроиндентирования. Показано, что при воздействии освещением в конце процесса индентирования, исходно осуществленного в темноте, величина относительного уменьшения микротвердости в три раза меньше по сравнению со случаем, когда индентирование осуществляется на предварительно освещенной поверхности. На основе данных, полученных в результате исследования временной релаксации размеров отпечатков, показано, что значения световых микротвердостей экспоненциально зависят от времени, в течение которого после прекращения освещения образец находится под нагрузкой. Приведены соответствующие объяснения полученных экспериментальных результатов. |
format |
Article |
author |
Чирадзе, Г.Д. Герасимов, А.Б. Буачидзе, Д.Г. |
author_facet |
Чирадзе, Г.Д. Герасимов, А.Б. Буачидзе, Д.Г. |
author_sort |
Чирадзе, Г.Д. |
title |
Величина фотомеханического эффекта при освещении образца в конце процесса индентирования |
title_short |
Величина фотомеханического эффекта при освещении образца в конце процесса индентирования |
title_full |
Величина фотомеханического эффекта при освещении образца в конце процесса индентирования |
title_fullStr |
Величина фотомеханического эффекта при освещении образца в конце процесса индентирования |
title_full_unstemmed |
Величина фотомеханического эффекта при освещении образца в конце процесса индентирования |
title_sort |
величина фотомеханического эффекта при освещении образца в конце процесса индентирования |
publisher |
Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України |
publishDate |
2011 |
topic_facet |
Влияние на структуру и свойства конструкционных материалов внешних физических полей |
url |
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/111432 |
citation_txt |
Величина фотомеханического эффекта при освещении образца в конце процесса индентирования / Г.Д. Чирадзе, А.Б. Герасимов, Д.Г. Буачидзе // Вопросы атомной науки и техники. — 2011. — № 4. — С. 128-131. — Бібліогр.: 11 назв. — рос. |
series |
Вопросы атомной науки и техники |
work_keys_str_mv |
AT čiradzegd veličinafotomehaničeskogoéffektapriosveŝeniiobrazcavkonceprocessaindentirovaniâ AT gerasimovab veličinafotomehaničeskogoéffektapriosveŝeniiobrazcavkonceprocessaindentirovaniâ AT buačidzedg veličinafotomehaničeskogoéffektapriosveŝeniiobrazcavkonceprocessaindentirovaniâ |
first_indexed |
2024-03-30T09:16:54Z |
last_indexed |
2024-03-30T09:16:54Z |
_version_ |
1796149780600061952 |