Свойства AlN-покрытия, полученного вакуумно-дуговым методом на кремнии

• Дата: 2011
• Автори: Суджанская, И.В., Колесников, Д.А., Береснев, В.М., Погребняк, А.Д., Гриценко, В.И., Гончаров, И.Ю., Турбин, П.В., Торяник, И.Н.
• Формат: Стаття
• Мова: Russian
• Опубліковано: Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України 2011
• Назва видання: Вопросы атомной науки и техники
• Теми: Физика и технология конструкционных материалов
• Онлайн доступ: http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/111695
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Цитувати: Свойства AlN-покрытия, полученного вакуумно-дуговым методом на кремнии / И.В. Суджанская, Д.А. Колесников, В.М. Береснев, А.Д. Погребняк, В.И. Гриценко, И.Ю. Гончаров, П.В. Турбин, И.Н. Торяник // Вопросы атомной науки и техники. — 2011. — № 6. — С. 145-148. — Бібліогр.: 4 назв. — рос.

AlN-покрытие получено методом вакуумно-дугового осаждения на кремниевой подложке. С использованием растровой ионно-электронной микроскопии показано, что покрытие нитрида алюминия имеет волокнистую структуру. Методом сканирующей зондовой микроскопии (СЗМ) показано, что AlN имеет поликристаллическую поверхность с размерами зерен приблизительно 50...100 нм, при этом высота нановыступов достигает 8 нм, степень шероховатости составляет 1,3 нм. Установлено, что диэлектрическая проницаемость AlN-покрытия снижается от 11,5 до 2,94 по мере возрастания частоты от 50 Гц до 1 МГц. Пик тангенса угла диэлектрических потерь наблюдается при 10 кГц, достигая 0,39.