Capacitance spectroscopy of InAs self-assembled quantum dots
Capacitance spectroscopy is used to study electronic properties of self-assembled InAs quantum dots. The capacitance-voltage, C(V), measurements in combination with the magneto-capacitance, C(B), results make it possible to investigate the electrostatic profile of a series of single-barrier n-i-n Ga...
Збережено в:
| Дата: | 1998 |
|---|---|
| Автори: | , , , , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | English |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
1998
|
| Назва видання: | Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/114663 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Capacitance spectroscopy of InAs self-assembled quantum dots / P.M. Martin, A.E. Belyaev, L. Eaves, P.C. Main, F.W. Sheard, T. Ihn, M. Henini // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 1998. — Т. 1, № 1. — С. 7-12. — Бібліогр.: 16 назв. — англ. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
irk-123456789-114663 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
irk-123456789-1146632017-03-12T03:02:14Z Capacitance spectroscopy of InAs self-assembled quantum dots Martin, P.M. Belyaev, A.E. Eaves, L. Main, P.C. Sheard, F.W. Ihn, T. Henini, M. Capacitance spectroscopy is used to study electronic properties of self-assembled InAs quantum dots. The capacitance-voltage, C(V), measurements in combination with the magneto-capacitance, C(B), results make it possible to investigate the electrostatic profile of a series of single-barrier n-i-n GaAs/AlAs/GaAs heterostructures incorporating a layer of self-assembled InAs quantum dots in the AlAs barrier. We find that the negative charge associated with electron filling of the dots is closely compensated by a positive charge in the AlAs barrier, which we ascribe to ionised defects or impurities, possibly in association with the quantum dots. It is shown the compensation degree considerably depends on the growth conditions. Ємнiсна спектроскопiя використується для дослiдження електронних властивостей само-органiзованих InAs квантових точок. Вимiрювання вольт-фарадних характеристик, C(V), одночасно з даними по магнето-емностi, C(B), дозволяють дослiджувати електростатичний профiль однобар.єрних p-i-n GaAs/AlAs/GaAs гетероструктур, якi мiстять в AlAs бар.єрі шар само-органiзованих InAs квантових точок. Ми визначили, що негативний заряд, пов.язаний з заповненням квантових точок електронами, майже повнiстю компенсується позитивним зарядом в AlAs бар.єрi, що, на нашу думку, пов.язано з iонiзованими дефектами чи домiшками, якi обумовлені квантовими точками. Показано, що мiра компенсацiї суттєво залежить вiд ростових умов. Емкостная спектроскопия используется для исследования электронных свойств само-организованных InAs квантовых точек. Измерение вольт-фарадных характеристик, C(V), совместно с данными по магнето-емкости, C(B), позволяют исследовать электростатический профиль однобарьерных p-i-n GaAs/AlAs/GaAs гетероструктур, содержащих в AlAs барьере слой само-организованных InAs квантовых точек. Мы установили, что отрицательный заряд, связанный с заполнением квантовых точек электронами, почти полностью компенсируется положительным зарядом в AlAs барьере, который, по нашему мнению, связан с ионизованными дефектами или примесями, обусловленными квантовыми точками. Показано, что степень компенсации существенно зависит от ростовых условий. 1998 Article Capacitance spectroscopy of InAs self-assembled quantum dots / P.M. Martin, A.E. Belyaev, L. Eaves, P.C. Main, F.W. Sheard, T. Ihn, M. Henini // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 1998. — Т. 1, № 1. — С. 7-12. — Бібліогр.: 16 назв. — англ. 1560-8034 PACS 73.20; 75.50 Pp http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/114663 en Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| language |
English |
| description |
Capacitance spectroscopy is used to study electronic properties of self-assembled InAs quantum dots. The capacitance-voltage, C(V), measurements in combination with the magneto-capacitance, C(B), results make it possible to investigate the electrostatic profile of a series of single-barrier n-i-n GaAs/AlAs/GaAs heterostructures incorporating a layer of self-assembled InAs quantum dots in the AlAs barrier. We find that the negative charge associated with electron filling of the dots is closely compensated by a positive charge in the AlAs barrier, which we ascribe to ionised defects or impurities, possibly in association with the quantum dots. It is shown the compensation degree considerably depends on the growth conditions. |
| format |
Article |
| author |
Martin, P.M. Belyaev, A.E. Eaves, L. Main, P.C. Sheard, F.W. Ihn, T. Henini, M. |
| spellingShingle |
Martin, P.M. Belyaev, A.E. Eaves, L. Main, P.C. Sheard, F.W. Ihn, T. Henini, M. Capacitance spectroscopy of InAs self-assembled quantum dots Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics |
| author_facet |
Martin, P.M. Belyaev, A.E. Eaves, L. Main, P.C. Sheard, F.W. Ihn, T. Henini, M. |
| author_sort |
Martin, P.M. |
| title |
Capacitance spectroscopy of InAs self-assembled quantum dots |
| title_short |
Capacitance spectroscopy of InAs self-assembled quantum dots |
| title_full |
Capacitance spectroscopy of InAs self-assembled quantum dots |
| title_fullStr |
Capacitance spectroscopy of InAs self-assembled quantum dots |
| title_full_unstemmed |
Capacitance spectroscopy of InAs self-assembled quantum dots |
| title_sort |
capacitance spectroscopy of inas self-assembled quantum dots |
| publisher |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| publishDate |
1998 |
| url |
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/114663 |
| citation_txt |
Capacitance spectroscopy of InAs self-assembled quantum dots / P.M. Martin, A.E. Belyaev, L. Eaves, P.C. Main, F.W. Sheard, T. Ihn, M. Henini // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 1998. — Т. 1, № 1. — С. 7-12. — Бібліогр.: 16 назв. — англ. |
| series |
Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics |
| work_keys_str_mv |
AT martinpm capacitancespectroscopyofinasselfassembledquantumdots AT belyaevae capacitancespectroscopyofinasselfassembledquantumdots AT eavesl capacitancespectroscopyofinasselfassembledquantumdots AT mainpc capacitancespectroscopyofinasselfassembledquantumdots AT sheardfw capacitancespectroscopyofinasselfassembledquantumdots AT ihnt capacitancespectroscopyofinasselfassembledquantumdots AT heninim capacitancespectroscopyofinasselfassembledquantumdots |
| first_indexed |
2023-10-18T20:25:05Z |
| last_indexed |
2023-10-18T20:25:05Z |
| _version_ |
1796150100444053504 |