Результати пошуку - Belyaev, A.E.
- Показ 1 - 20 результатів із 46
- На наступну сторінку
-
1
Carbon ceramics from plants: Graphitization of biomorphic matrixes за авторством Iarmolenko, D.A., Belyaev, A.E., Kiselov, V.S.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2016)Отримати повний текст
Стаття -
2
Simple method for SiC nanowires fabrication за авторством Kiselov, V.S., Lytvyn, O.S., Yukhymchuk, V.O., Belyaev, A.E.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2011)Отримати повний текст
Стаття -
3
-
4
Mechanical properties of biomorphous ceramics за авторством Kiselov, V.S., Borisov, Yu.S., Tryus, M., Vitusevich, S.A, Pud, S., Belyaev, A.E.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2012)Отримати повний текст
Стаття -
5
Biomorphic SiC from peas and beans за авторством Kiselov, V.S., Yukhymchyk, V.A., Poludin, V.I., Tryus, M.P., Belyaev, A.E.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2012)Отримати повний текст
Стаття -
6
Electron transport in AlGaN/GaN HEMT-like nanowires: Effect of depletion and UV excitation за авторством Naumov, A.V., Kaliuzhnyi, V.V., Vitusevich, S.A., Hardtdegen, H., Belyaev, A.E.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2021)Отримати повний текст
Стаття -
7
Investigation of luminescent properties inherent to SrTiO₃:Pr³⁺ luminophor with Al impurity за авторством Marchylo, O.M., Zavyalova, L.V., Nakanishi, Y., Kominami, H., Belyaev, A.E., Svechnikov, G.S.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2011)Отримати повний текст
Стаття -
8
Synthesis, morphological and structural properties of bio-SiC ceramics за авторством Yukhymchuk, V.O., Kiselev, V.S., Belyaev, A.E., Chursanova, M.V., Danailov, M., Valakh, M.Ya.
Опубліковано в: Functional Materials (2010)Отримати повний текст
Стаття -
9
Capacitance spectroscopy of InAs self-assembled quantum dots за авторством Martin, P.M., Belyaev, A.E., Eaves, L., Main, P.C., Sheard, F.W., Ihn, T., Henini, M.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (1998)Отримати повний текст
Стаття -
10
Temperature dependence of contact resistance of Au−Ti−Pd2Si−n⁺ -Si ohmic contacts за авторством Belyaev, A.E., Boltovets, N.S., Konakova, R.V., Kudryk, Ya.Ya., Sachenko, A.V., Sheremet, V.N.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2010)Отримати повний текст
Стаття -
11
X-ray diffraction investigation of GaN layers on Si(111) and Al₂O₃ (0001) substrates за авторством Safriuk, N.V., Stanchu, G.V., Kuchuk, A.V., Kladko, V.P., Belyaev, A.E., Machulin, V.F.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2013)Отримати повний текст
Стаття -
12
Optically controlled 2D tunnelling in GaAs delta-doped p-n junction за авторством Vitusevich, S. A., Forster, A., Belyaev, A. E., Glavin, B. A., Indlekofer, K. M., Luth, H., Konakova, R. V.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (1999)Отримати повний текст
Стаття -
13
The growth of weakly coupled graphene sheets from silicon carbide powder за авторством Kiselov, V.S., Lytvyn, P.M., Nikolenko, A.S., Strelchuk, V.V., Stubrov, Yu.Yu., Tryus, M., Belyaev, A.E.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2014)Отримати повний текст
Стаття -
14
Momentum relaxation of hot electrons during radiative intraband indirect transitions in ZnS:Cr за авторством Vlasenko, N.A., Belyaev, A.E., Denisova, Z.L., Kononets, Ya.F., Komarov, A.V., Veligura, L.I.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2005)Отримати повний текст
Стаття -
15
Quaternary semimagnetic Hg₁₋x₋yCdxMnySe crystals for optoelectronic application за авторством Mazur, Yu.I., Tarasov, G.G., Kuzmenko, E.V., Belyaev, A.E., Hoerstel, W., Kraak, W., Masselink, W.T.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (1999)Отримати повний текст
Стаття -
16
Дослідження пасток в гетероструктурах AlGaN/GaN ультразвуковими коливаннями за авторством Kaliuzhnyi, V.V., Liubchenko, O.I., Tymochko, M.D., Olikh, Y.M., Kladko, V.P., Belyaev, A.E.
Опубліковано 2021
Отримати повний текст
Стаття -
17
Оптичнi властивостi епiтаксiйних плiвок GaN, що перебували пiд дiєю мiкрохвильового опромiнення за авторством Belyaev, A. E., Klyui, N. I., Konakova, R. V., Luk’yanov, A. M., Sveshnikov, Yu. M., Klyui, A. M.
Опубліковано 2018
Отримати повний текст
Стаття -
18
X-ray diffraction study of deformation state in InGaN/GaN multilayered structures за авторством Kladko, V.P., Kuchuk, A.V., Safryuk, N.V., Machulin, V.F., Belyaev, A.E., Konakova, R.V., Yavich, B.S.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2010)Отримати повний текст
Стаття -
19
Some aspects of thermal resistance measurement technique for IMPATT and light-emitting diodes за авторством Belyaev, A.E., Boltovets, N.S., Konakova, R.V., Kudryk, Ya.Ya., Sorokin, V.M., Sheremet, V.N., Shynkarenko, V.V.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2011)Отримати повний текст
Стаття -
20
Effect of Si infiltration method on the properties of biomorphous SiC за авторством Kiselov, V.S., Kalabukhova, E.N., Sitnikov, A.A., Lytvyn, P.M., Poludin, V.I., Yukhymchuk, V.O., Belyaev, A.E.
Опубліковано в: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics (2009)Отримати повний текст
Стаття
Інструменти для пошуку:
Пов'язані теми
gallium nitride
нiтрид галiю
-
2DEG
Characterization and properties
Gunn diode
Hetero- and low-dimensional structures
Semiconductor physics
Technology
arc-discharge method
broadening parameter
cathode contact
double Davydov splitting
electronic transport
electroreflectance
epitaxial film
heterostructure
indium phosphide
internal strain
macromolecular class
micro-Raman spectroscopy
microwave treatment
ohmic contact
stationary elastic waves
ultrasound
внутрiшня деформацiя
гетероструктура
двовимiрний електронний газ (2DEG)
диод Ганна
електровiдбивання