Photosensitive porous silicon based structures
We present results of electrical and photoelectrical measurements on two types of Al/porous silicon (PS)/monocrystalline silicon (c-Si)/Al sandwich structures with thin and thick PS layers obtained by stain etching. Current-voltage characteristics and photosensitivity spectra indicate that for struc...
Збережено в:
| Дата: | 1998 |
|---|---|
| Автори: | , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | English |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
1998
|
| Назва видання: | Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/114664 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Photosensitive porous silicon based structures / S.V. Svechnikov, E.B. Kaganovich, E.G. Manoilov // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 1998. — Т. 1, № 1. — С. 13-17. — Бібліогр.: 32 назв. — англ. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
irk-123456789-114664 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
irk-123456789-1146642017-03-12T03:02:16Z Photosensitive porous silicon based structures Svechnikov, S.V. Kaganovich, E.B. Manoilov, E.G. We present results of electrical and photoelectrical measurements on two types of Al/porous silicon (PS)/monocrystalline silicon (c-Si)/Al sandwich structures with thin and thick PS layers obtained by stain etching. Current-voltage characteristics and photosensitivity spectra indicate that for structures with a thin PS layer the photosensitivity is determined by PS/c-Si heterojunctions (HJ), while for structures with a thick PS layer – by the PS layers themselves. The properties of PS/c-Si HJ were explained in the framework of a band diagram of the isotype HJ with opposite band bendings on the sides due to a high concentration of defect centers at the heterointerface. PS layers exhibit photoconduction with the photosensitivity maximum at 400–500 nm. The results are compared with those obtained for the structures based on PS layers prepared by electrochemical anodization. Представлені результати електричних та фотоелектричних вимірювань двох типів Al/пористий кремній (ПК)/монокристалічний кремній (c-Si)/Al сендвич структур с тонкими та товстими шарами ПК, що одержані хімічним забарвлюючим травленням. Вольт-амперні характеристики та спектри фотовідгуків свідчать про те, що фоточутливість структур з тонкими шарами ПК переважно визначається гетеропереходом (ГП) ПК/c-Si, а з товстими . ПК шарами. Властивості ГП з.ясовані в рамках зонної діаграми ізотипного ГП з протилежними напрямками вигину зон по обидва боки переходу завдяки високій концентрації дефектів на межі розподілу. ПК шари . фоточутливі, з максимумом чутливості біля 400,500 нм. Результати порівнюються з такими для структур на основі шарів ПК, що одержані eлектрохімічним травленням. Представлены результаты электрических и фотоэлектрических измерений двух типов Al/пористый кремний (ПК)/ монокристаллический кремний (c-Si)/Al сэндвич структур с тонкими и толстыми слоями ПК, полученными химическим окрашивающим травлением. Вольт-амперные характеристики и спектры фотооткликов свидетельствуют, что фоточувствительность структур с тонкими слоями ПК определяется гетеропереходом (ГП) ПК/c-Si, а с толстыми . ПК слоями. Свойства ГП объяснены в рамках зонной диаграммы изотипного ГП с противоположными направлениями изгибов зон по обе стороны перехода из-за высокой концентрации дефектов на гетерогранице. ПК слои . фотопроводящие с максимумом фоточувствительности при 400,500 нм. Результаты сравниваются с таковыми для структур на основе слоев ПК, полученных электрохимическим травлением. 1998 Article Photosensitive porous silicon based structures / S.V. Svechnikov, E.B. Kaganovich, E.G. Manoilov // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 1998. — Т. 1, № 1. — С. 13-17. — Бібліогр.: 32 назв. — англ. 1560-8034 PACS 73.50.P; 47.55.M http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/114664 621.382 en Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| language |
English |
| description |
We present results of electrical and photoelectrical measurements on two types of Al/porous silicon (PS)/monocrystalline silicon (c-Si)/Al sandwich structures with thin and thick PS layers obtained by stain etching. Current-voltage characteristics and photosensitivity spectra indicate that for structures with a thin PS layer the photosensitivity is determined by PS/c-Si heterojunctions (HJ), while for structures with a thick PS layer – by the PS layers themselves. The properties of PS/c-Si HJ were explained in the framework of a band diagram of the isotype HJ with opposite band bendings on the sides due to a high concentration of defect centers at the heterointerface. PS layers exhibit photoconduction with the photosensitivity maximum at 400–500 nm. The results are compared with those obtained for the structures based on PS layers prepared by electrochemical anodization. |
| format |
Article |
| author |
Svechnikov, S.V. Kaganovich, E.B. Manoilov, E.G. |
| spellingShingle |
Svechnikov, S.V. Kaganovich, E.B. Manoilov, E.G. Photosensitive porous silicon based structures Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics |
| author_facet |
Svechnikov, S.V. Kaganovich, E.B. Manoilov, E.G. |
| author_sort |
Svechnikov, S.V. |
| title |
Photosensitive porous silicon based structures |
| title_short |
Photosensitive porous silicon based structures |
| title_full |
Photosensitive porous silicon based structures |
| title_fullStr |
Photosensitive porous silicon based structures |
| title_full_unstemmed |
Photosensitive porous silicon based structures |
| title_sort |
photosensitive porous silicon based structures |
| publisher |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| publishDate |
1998 |
| url |
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/114664 |
| citation_txt |
Photosensitive porous silicon based structures / S.V. Svechnikov, E.B. Kaganovich, E.G. Manoilov // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 1998. — Т. 1, № 1. — С. 13-17. — Бібліогр.: 32 назв. — англ. |
| series |
Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics |
| work_keys_str_mv |
AT svechnikovsv photosensitiveporoussiliconbasedstructures AT kaganovicheb photosensitiveporoussiliconbasedstructures AT manoiloveg photosensitiveporoussiliconbasedstructures |
| first_indexed |
2023-10-18T20:25:05Z |
| last_indexed |
2023-10-18T20:25:05Z |
| _version_ |
1796150100551008256 |