Вплив поверхневої провідності на електричні властивості мезаструктурних InAs p—n-переходів
Досліджено вплив поверхневої провідності на електричні властивості плавних мезаструктурних InAs p—n-переходів, виготовлених дифузійним методом. З’ясовано, що внаслідок використання протравлювача 2 % Br₂ + HBr для виготовлення мезаструктур в p—n-переходах виникає поверхнева шунтуюча провідність. Повт...
Збережено в:
| Дата: | 2010 |
|---|---|
| Автори: | , , , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Ukrainian |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2010
|
| Назва видання: | Оптоэлектроника и полупроводниковая техника |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/115606 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Вплив поверхневої провідності на електричні властивості мезаструктурних InAs p—n-переходів / А.В. Сукач, В.В. Тетьоркін, І.О. Мазарчук, М.М. Кролевець, В.І. Лук’яненко, І.Г. Луцишин // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: Сб. научн. тр. — 2010. — Вип. 45. — С. 109-116. — Бібліогр.: 15 назв. — укр. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
irk-123456789-115606 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
irk-123456789-1156062017-04-08T03:03:23Z Вплив поверхневої провідності на електричні властивості мезаструктурних InAs p—n-переходів Сукач, А.В. Тетьоркін, В.В. Мазарчук, І.О. Кролевець, М.М. Лук’яненко, В.І. Луцишин, І.Г. Досліджено вплив поверхневої провідності на електричні властивості плавних мезаструктурних InAs p—n-переходів, виготовлених дифузійним методом. З’ясовано, що внаслідок використання протравлювача 2 % Br₂ + HBr для виготовлення мезаструктур в p—n-переходах виникає поверхнева шунтуюча провідність. Повторна хімічна обробка мезаструктур у протравлювачу на основі азотної кислоти суттєво зменшує темнові струми та вплив шунтуючої провідності на ВАХ переходів. Показано, що темновий струм в p—n-переходах після повторної хімічної обробки мезаструктур в інтервалі температур 160—298 К зумовлений процесами генерації та рекомбінаціїї носіїв в ОПЗ, а за температур менших ніж 160 К — тунелюванням за участю дислокацій. The effect of surface conductivity on electrical properties of linearly-graded mesastructure InAs p—n junctions prepared by diffusion method is investigated. It is established that mesatructures prepared by chemical etching in 2 % Br₂+HBr etchant result in shunt surface conductivity. After the repeafed chemical treatment in the etchant based on nitric acid the dark current is decreased substantially. It is shown, that the dark current in these mesastructures is determined by generation and recombination processes in the depletion region at temperatures of 160—298 К, while at temperatures lower than 160 K it is determined by tunneling caused by dislocations. 2010 Article Вплив поверхневої провідності на електричні властивості мезаструктурних InAs p—n-переходів / А.В. Сукач, В.В. Тетьоркін, І.О. Мазарчук, М.М. Кролевець, В.І. Лук’яненко, І.Г. Луцишин // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: Сб. научн. тр. — 2010. — Вип. 45. — С. 109-116. — Бібліогр.: 15 назв. — укр. 0233-7577 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/115606 621.315.592 uk Оптоэлектроника и полупроводниковая техника Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| language |
Ukrainian |
| description |
Досліджено вплив поверхневої провідності на електричні властивості плавних мезаструктурних InAs p—n-переходів, виготовлених дифузійним методом. З’ясовано, що внаслідок використання протравлювача 2 % Br₂ + HBr для виготовлення мезаструктур в p—n-переходах виникає поверхнева шунтуюча провідність. Повторна хімічна обробка мезаструктур у протравлювачу на основі азотної кислоти суттєво зменшує темнові струми та вплив шунтуючої провідності на ВАХ переходів. Показано, що темновий струм в p—n-переходах після повторної хімічної обробки мезаструктур в інтервалі температур 160—298 К зумовлений процесами генерації та рекомбінаціїї носіїв в ОПЗ, а за температур менших ніж 160 К — тунелюванням за участю дислокацій. |
| format |
Article |
| author |
Сукач, А.В. Тетьоркін, В.В. Мазарчук, І.О. Кролевець, М.М. Лук’яненко, В.І. Луцишин, І.Г. |
| spellingShingle |
Сукач, А.В. Тетьоркін, В.В. Мазарчук, І.О. Кролевець, М.М. Лук’яненко, В.І. Луцишин, І.Г. Вплив поверхневої провідності на електричні властивості мезаструктурних InAs p—n-переходів Оптоэлектроника и полупроводниковая техника |
| author_facet |
Сукач, А.В. Тетьоркін, В.В. Мазарчук, І.О. Кролевець, М.М. Лук’яненко, В.І. Луцишин, І.Г. |
| author_sort |
Сукач, А.В. |
| title |
Вплив поверхневої провідності на електричні властивості мезаструктурних InAs p—n-переходів |
| title_short |
Вплив поверхневої провідності на електричні властивості мезаструктурних InAs p—n-переходів |
| title_full |
Вплив поверхневої провідності на електричні властивості мезаструктурних InAs p—n-переходів |
| title_fullStr |
Вплив поверхневої провідності на електричні властивості мезаструктурних InAs p—n-переходів |
| title_full_unstemmed |
Вплив поверхневої провідності на електричні властивості мезаструктурних InAs p—n-переходів |
| title_sort |
вплив поверхневої провідності на електричні властивості мезаструктурних inas p—n-переходів |
| publisher |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| publishDate |
2010 |
| url |
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/115606 |
| citation_txt |
Вплив поверхневої провідності на електричні властивості мезаструктурних InAs p—n-переходів / А.В. Сукач, В.В. Тетьоркін, І.О. Мазарчук, М.М. Кролевець, В.І. Лук’яненко, І.Г. Луцишин // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: Сб. научн. тр. — 2010. — Вип. 45. — С. 109-116. — Бібліогр.: 15 назв. — укр. |
| series |
Оптоэлектроника и полупроводниковая техника |
| work_keys_str_mv |
AT sukačav vplivpoverhnevoíprovídnostínaelektričnívlastivostímezastrukturnihinaspnperehodív AT tetʹorkínvv vplivpoverhnevoíprovídnostínaelektričnívlastivostímezastrukturnihinaspnperehodív AT mazarčukío vplivpoverhnevoíprovídnostínaelektričnívlastivostímezastrukturnihinaspnperehodív AT krolevecʹmm vplivpoverhnevoíprovídnostínaelektričnívlastivostímezastrukturnihinaspnperehodív AT lukânenkoví vplivpoverhnevoíprovídnostínaelektričnívlastivostímezastrukturnihinaspnperehodív AT lucišiníg vplivpoverhnevoíprovídnostínaelektričnívlastivostímezastrukturnihinaspnperehodív |
| first_indexed |
2024-03-30T09:32:46Z |
| last_indexed |
2024-03-30T09:32:46Z |
| _version_ |
1796150173459546112 |