2025-02-23T17:08:42-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: Query fl=%2A&wt=json&json.nl=arrarr&q=id%3A%22irk-123456789-115606%22&qt=morelikethis&rows=5
2025-02-23T17:08:42-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: => GET http://localhost:8983/solr/biblio/select?fl=%2A&wt=json&json.nl=arrarr&q=id%3A%22irk-123456789-115606%22&qt=morelikethis&rows=5
2025-02-23T17:08:42-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: <= 200 OK
2025-02-23T17:08:42-05:00 DEBUG: Deserialized SOLR response

Вплив поверхневої провідності на електричні властивості мезаструктурних InAs p—n-переходів

Досліджено вплив поверхневої провідності на електричні властивості плавних мезаструктурних InAs p—n-переходів, виготовлених дифузійним методом. З’ясовано, що внаслідок використання протравлювача 2 % Br₂ + HBr для виготовлення мезаструктур в p—n-переходах виникає поверхнева шунтуюча провідність. Повт...

Full description

Saved in:
Bibliographic Details
Main Authors: Сукач, А.В., Тетьоркін, В.В., Мазарчук, І.О., Кролевець, М.М., Лук’яненко, В.І., Луцишин, І.Г.
Format: Article
Language:Ukrainian
Published: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2010
Series:Оптоэлектроника и полупроводниковая техника
Online Access:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/115606
Tags: Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!

Similar Items

2025-02-23T17:08:42-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: Query fl=%2A&rows=40&rows=5&wt=json&json.nl=arrarr&q=id%3A%22irk-123456789-115606%22&qt=morelikethis
2025-02-23T17:08:42-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: => GET http://localhost:8983/solr/biblio/select?fl=%2A&rows=40&rows=5&wt=json&json.nl=arrarr&q=id%3A%22irk-123456789-115606%22&qt=morelikethis
2025-02-23T17:08:42-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: <= 200 OK
2025-02-23T17:08:42-05:00 DEBUG: Deserialized SOLR response