Коммутационные управляемые устройства на p—i—n-диодах миллиметрового диапазона длин волн
Представлены результаты исследований и разработки выключателей и переключателей с использованием p—i—n-диодов сосредоточенного типа, обеспечивающих время переключения единицы наносекунд. С целью увеличения развязки в закрытом состоянии (потерь запирания) около 40 дБ в устройствах применено каскадное...
Збережено в:
| Дата: | 2016 |
|---|---|
| Автори: | , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Russian |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2016
|
| Назва видання: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/115692 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Коммутационные управляемые устройства на p—i—n-диодах миллиметрового диапазона длин волн / Н.Ф. Карушкин, В.В. Малышко, В.В. Ореховский, А.А. Тухаринов // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2016. — № 4-5. — С. 34-41. — Бібліогр.: 16 назв. — рос. |