Причина нестабильности лазерной генерации, обнаруженной в волноводной электролюминесцентной тонкопленочной ZnS:Cr-структуре
В тонкопленочной электролюминесцентной волноводной ZnS:Crструктуре обнаружена лазерная генерация в излучении ионов Cr²⁺ , возбуждаемых ударно горячими электронами. Она возникает при поле в пленке ZnS:Cr свыше 2 МВ·см⁻¹ и подтверждается очень существенным увеличением (примерно в 100 раз) интенсивност...
Збережено в:
Дата: | 2011 |
---|---|
Автори: | , , , , , |
Формат: | Стаття |
Мова: | Russian |
Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2011
|
Назва видання: | Оптоэлектроника и полупроводниковая техника |
Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/116693 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
Цитувати: | Причина нестабильности лазерной генерации, обнаруженной в волноводной электролюминесцентной тонкопленочной ZnS:Cr-структуре / Н.А. Власенко, П.Ф. Олексенко, М.А. Мухльо, П.М. Литвин, Л.И. Велигура, З.Л. Денисова // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: Сб. научн. тр. — 2011. — Вип. 46. — С. 28-34. — Бібліогр.: 8 назв. — рос. |