Зворотні ВАХ та механізми протікання струму в InAs-фотодіодах
Досліджено механізми протікання струму у разі зворотних напруг зміщення в InAs p–n-переходах, виготовлених дифузією кадмію в підкладки n-типу провідності. Показано, що в інтервалі температур 162–291 К і за напруг зворотного зміщення ≤0,4 В спостерігається дифузійний механізм протікання струму. За ни...
Збережено в:
| Дата: | 2011 |
|---|---|
| Автори: | , , , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Ukrainian |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2011
|
| Назва видання: | Оптоэлектроника и полупроводниковая техника |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/116705 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Зворотні ВАХ та механізми протікання струму в InAs-фотодіодах / А.В. Сукач, В.В. Тетьоркін, А.Т. Ворощенко, М.Ю. Кравецький, В.І. Лук’яненко, І.Г. Луцишин // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: Сб. научн. тр. — 2011. — Вип. 46. — С. 111-118. — Бібліогр.: 21 назв. — укр. |