Влияние буферного слоя пористого карбида кремния на формирование границы раздела с оксидным слоем (обзор)
Систематизированы литературные данные по свойствам por-SiC, рассмотрены особенности формирования структуры SiC/por-SiC/TiO₂, где пористый карбид используется в качестве буферного слоя между оксидной пленкой TiO₂ и подложкой карбида кремния. Рассмотрены также особенности морфологии, элементного соста...
Saved in:
| Date: | 2012 |
|---|---|
| Main Author: | |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Published: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2012
|
| Series: | Оптоэлектроника и полупроводниковая техника |
| Online Access: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/116712 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Влияние буферного слоя пористого карбида кремния на формирование границы раздела с оксидным слоем (обзор) / О.Б. Охрименко // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: Сб. научн. тр. — 2012. — Вип. 47. — С. 24-39. — Бібліогр.: 59 назв. — рос. |