2025-02-23T12:18:38-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: Query fl=%2A&wt=json&json.nl=arrarr&q=id%3A%22irk-123456789-116712%22&qt=morelikethis&rows=5
2025-02-23T12:18:38-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: => GET http://localhost:8983/solr/biblio/select?fl=%2A&wt=json&json.nl=arrarr&q=id%3A%22irk-123456789-116712%22&qt=morelikethis&rows=5
2025-02-23T12:18:38-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: <= 200 OK
2025-02-23T12:18:38-05:00 DEBUG: Deserialized SOLR response
Влияние буферного слоя пористого карбида кремния на формирование границы раздела с оксидным слоем (обзор)
Систематизированы литературные данные по свойствам por-SiC, рассмотрены особенности формирования структуры SiC/por-SiC/TiO₂, где пористый карбид используется в качестве буферного слоя между оксидной пленкой TiO₂ и подложкой карбида кремния. Рассмотрены также особенности морфологии, элементного соста...
Saved in:
| Main Author: | |
|---|---|
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Published: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2012
|
| Series: | Оптоэлектроника и полупроводниковая техника |
| Online Access: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/116712 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|