Влияние буферного слоя пористого карбида кремния на формирование границы раздела с оксидным слоем (обзор)
Систематизированы литературные данные по свойствам por-SiC, рассмотрены особенности формирования структуры SiC/por-SiC/TiO₂, где пористый карбид используется в качестве буферного слоя между оксидной пленкой TiO₂ и подложкой карбида кремния. Рассмотрены также особенности морфологии, элементного соста...
Збережено в:
| Видавець: | Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
|---|---|
| Дата: | 2012 |
| Автор: | |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Russian |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2012
|
| Назва видання: | Оптоэлектроника и полупроводниковая техника |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/116712 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Цитувати: | Влияние буферного слоя пористого карбида кремния на формирование границы раздела с оксидным слоем (обзор) / О.Б. Охрименко // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: Сб. научн. тр. — 2012. — Вип. 47. — С. 24-39. — Бібліогр.: 59 назв. — рос. |
Репозиторії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
irk-123456789-116712 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
irk-123456789-1167122017-05-15T03:02:26Z Влияние буферного слоя пористого карбида кремния на формирование границы раздела с оксидным слоем (обзор) Охрименко, О.Б. Систематизированы литературные данные по свойствам por-SiC, рассмотрены особенности формирования структуры SiC/por-SiC/TiO₂, где пористый карбид используется в качестве буферного слоя между оксидной пленкой TiO₂ и подложкой карбида кремния. Рассмотрены также особенности морфологии, элементного состава, фотолюминесценции и комбинационного рассеяния света в структурах SiC/por-SiC/TiO₂. In the review was systematize of available literature data on the properties of the por-SiC as well as the peculiarities of structure formation SiC/por-SiC/TiO₂, where the porous carbide is used as a buffer layer between the oxide film of TiO₂ and silicon carbide substrate. The features of the morphology, elemental composition, photoluminescence and Raman scattering of light in structures SiC/por-SiC/TiO₂ was considered. Keywords: porous silicon carbide, photoluminescence, Raman scattering. 2012 Article Влияние буферного слоя пористого карбида кремния на формирование границы раздела с оксидным слоем (обзор) / О.Б. Охрименко // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: Сб. научн. тр. — 2012. — Вип. 47. — С. 24-39. — Бібліогр.: 59 назв. — рос. 0233-7577 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/116712 538.9; 535.37 ru Оптоэлектроника и полупроводниковая техника Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| language |
Russian |
| description |
Систематизированы литературные данные по свойствам por-SiC, рассмотрены особенности формирования структуры SiC/por-SiC/TiO₂, где пористый карбид используется в качестве буферного слоя между оксидной пленкой TiO₂ и подложкой карбида кремния. Рассмотрены также особенности морфологии, элементного состава, фотолюминесценции и комбинационного рассеяния света в структурах SiC/por-SiC/TiO₂. |
| format |
Article |
| author |
Охрименко, О.Б. |
| spellingShingle |
Охрименко, О.Б. Влияние буферного слоя пористого карбида кремния на формирование границы раздела с оксидным слоем (обзор) Оптоэлектроника и полупроводниковая техника |
| author_facet |
Охрименко, О.Б. |
| author_sort |
Охрименко, О.Б. |
| title |
Влияние буферного слоя пористого карбида кремния на формирование границы раздела с оксидным слоем (обзор) |
| title_short |
Влияние буферного слоя пористого карбида кремния на формирование границы раздела с оксидным слоем (обзор) |
| title_full |
Влияние буферного слоя пористого карбида кремния на формирование границы раздела с оксидным слоем (обзор) |
| title_fullStr |
Влияние буферного слоя пористого карбида кремния на формирование границы раздела с оксидным слоем (обзор) |
| title_full_unstemmed |
Влияние буферного слоя пористого карбида кремния на формирование границы раздела с оксидным слоем (обзор) |
| title_sort |
влияние буферного слоя пористого карбида кремния на формирование границы раздела с оксидным слоем (обзор) |
| publisher |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| publishDate |
2012 |
| url |
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/116712 |
| citation_txt |
Влияние буферного слоя пористого карбида кремния на формирование границы раздела с оксидным слоем (обзор) / О.Б. Охрименко // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: Сб. научн. тр. — 2012. — Вип. 47. — С. 24-39. — Бібліогр.: 59 назв. — рос. |
| series |
Оптоэлектроника и полупроводниковая техника |
| work_keys_str_mv |
AT ohrimenkoob vliâniebufernogosloâporistogokarbidakremniânaformirovaniegranicyrazdelasoksidnymsloemobzor |
| first_indexed |
2023-10-18T20:28:12Z |
| last_indexed |
2023-10-18T20:28:12Z |
| _version_ |
1796150278620184576 |