2025-02-23T16:08:44-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: Query fl=%2A&wt=json&json.nl=arrarr&q=id%3A%22irk-123456789-116712%22&qt=morelikethis&rows=5
2025-02-23T16:08:44-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: => GET http://localhost:8983/solr/biblio/select?fl=%2A&wt=json&json.nl=arrarr&q=id%3A%22irk-123456789-116712%22&qt=morelikethis&rows=5
2025-02-23T16:08:44-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: <= 200 OK
2025-02-23T16:08:44-05:00 DEBUG: Deserialized SOLR response
Влияние буферного слоя пористого карбида кремния на формирование границы раздела с оксидным слоем (обзор)

Влияние буферного слоя пористого карбида кремния на формирование границы раздела с оксидным слоем (обзор)

Систематизированы литературные данные по свойствам por-SiC, рассмотрены особенности формирования структуры SiC/por-SiC/TiO₂, где пористый карбид используется в качестве буферного слоя между оксидной пленкой TiO₂ и подложкой карбида кремния. Рассмотрены также особенности морфологии, элементного соста...

Full description

Saved in:
Bibliographic Details
Main Author: Охрименко, О.Б.
Format: Article
Language:Russian
Published: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2012
Series:Оптоэлектроника и полупроводниковая техника
Online Access:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/116712
Tags: Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!

Similar Items

2025-02-23T16:08:44-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: Query fl=%2A&rows=40&rows=5&wt=json&json.nl=arrarr&q=id%3A%22irk-123456789-116712%22&qt=morelikethis
2025-02-23T16:08:44-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: => GET http://localhost:8983/solr/biblio/select?fl=%2A&rows=40&rows=5&wt=json&json.nl=arrarr&q=id%3A%22irk-123456789-116712%22&qt=morelikethis
2025-02-23T16:08:44-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: <= 200 OK
2025-02-23T16:08:44-05:00 DEBUG: Deserialized SOLR response

Similar Items