Про особливості анізотропії термоелектричних ефектів у напівпровідниках, пов’язаної зі специфікою прояву багатьох долин
Досліджено анізотропію термоЕРС Δα (при електрон-фононному захопленні) в умовах направленої пружної деформації, встановлено зв’язок між недіагональними компонентами тензора термоЕРС α як для n-Si, так і для n-Ge, а також з’ясовано причини, які призводять у випадку багатодолинних напівпровідників (н...
Збережено в:
| Дата: | 2012 |
|---|---|
| Автори: | , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Ukrainian |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2012
|
| Назва видання: | Оптоэлектроника и полупроводниковая техника |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/116714 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Про особливості анізотропії термоелектричних ефектів у напівпровідниках, пов’язаної зі специфікою прояву багатьох долин / П.І. Баранський, Г.П. Гайдар // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: Сб. научн. тр. — 2012. — Вип. 47. — С. 46-50. — Бібліогр.: 12 назв. — укр. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
irk-123456789-116714 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
irk-123456789-1167142017-05-15T03:02:27Z Про особливості анізотропії термоелектричних ефектів у напівпровідниках, пов’язаної зі специфікою прояву багатьох долин Баранський, П.І. Гайдар, Г.П. Досліджено анізотропію термоЕРС Δα (при електрон-фононному захопленні) в умовах направленої пружної деформації, встановлено зв’язок між недіагональними компонентами тензора термоЕРС α як для n-Si, так і для n-Ge, а також з’ясовано причини, які призводять у випадку багатодолинних напівпровідників (навіть за незначної анізотропії розсіяння) до комутаційного ефекту, характерного для недіагональних компонентів. The anisotropy of thermoelectromotive Δα (at the electron-phonon entrainment) in the conditions of the directed elastic deformation was studied, the connection between the non-diagonal components of the thermoelectromotive tensor α both for n-Si, and for n-Ge was established, as well as the reasons that lead in the case of many-valley semiconductors (even at the insignificant scattering anisotropy) to the switching effect, typical for the non-diagonal components, were clarified. 2012 Article Про особливості анізотропії термоелектричних ефектів у напівпровідниках, пов’язаної зі специфікою прояву багатьох долин / П.І. Баранський, Г.П. Гайдар // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: Сб. научн. тр. — 2012. — Вип. 47. — С. 46-50. — Бібліогр.: 12 назв. — укр. 0233-7577 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/116714 621.315.592:537.226.5:537.322 uk Оптоэлектроника и полупроводниковая техника Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| language |
Ukrainian |
| description |
Досліджено анізотропію термоЕРС Δα (при електрон-фононному захопленні) в умовах направленої пружної деформації, встановлено зв’язок між недіагональними компонентами тензора термоЕРС α як для n-Si, так і для n-Ge, а також з’ясовано причини, які призводять у випадку багатодолинних напівпровідників (навіть за незначної анізотропії розсіяння) до комутаційного ефекту, характерного для недіагональних компонентів. |
| format |
Article |
| author |
Баранський, П.І. Гайдар, Г.П. |
| spellingShingle |
Баранський, П.І. Гайдар, Г.П. Про особливості анізотропії термоелектричних ефектів у напівпровідниках, пов’язаної зі специфікою прояву багатьох долин Оптоэлектроника и полупроводниковая техника |
| author_facet |
Баранський, П.І. Гайдар, Г.П. |
| author_sort |
Баранський, П.І. |
| title |
Про особливості анізотропії термоелектричних ефектів у напівпровідниках, пов’язаної зі специфікою прояву багатьох долин |
| title_short |
Про особливості анізотропії термоелектричних ефектів у напівпровідниках, пов’язаної зі специфікою прояву багатьох долин |
| title_full |
Про особливості анізотропії термоелектричних ефектів у напівпровідниках, пов’язаної зі специфікою прояву багатьох долин |
| title_fullStr |
Про особливості анізотропії термоелектричних ефектів у напівпровідниках, пов’язаної зі специфікою прояву багатьох долин |
| title_full_unstemmed |
Про особливості анізотропії термоелектричних ефектів у напівпровідниках, пов’язаної зі специфікою прояву багатьох долин |
| title_sort |
про особливості анізотропії термоелектричних ефектів у напівпровідниках, пов’язаної зі специфікою прояву багатьох долин |
| publisher |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| publishDate |
2012 |
| url |
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/116714 |
| citation_txt |
Про особливості анізотропії термоелектричних ефектів у напівпровідниках, пов’язаної зі специфікою прояву багатьох долин / П.І. Баранський, Г.П. Гайдар // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: Сб. научн. тр. — 2012. — Вип. 47. — С. 46-50. — Бібліогр.: 12 назв. — укр. |
| series |
Оптоэлектроника и полупроводниковая техника |
| work_keys_str_mv |
AT baransʹkijpí proosoblivostíanízotropíítermoelektričnihefektívunapívprovídnikahpovâzanoízíspecifíkoûproâvubagatʹohdolin AT gajdargp proosoblivostíanízotropíítermoelektričnihefektívunapívprovídnikahpovâzanoízíspecifíkoûproâvubagatʹohdolin |
| first_indexed |
2023-10-18T20:28:13Z |
| last_indexed |
2023-10-18T20:28:13Z |
| _version_ |
1796150278833045504 |