Електричні властивості структур In/p-PbTe

• Дата: 2012
• Автори: Маланич, Г.П., Сукач, А.В., Тетьоркін, В.В., Ворощенко, А.Т., Кравецький, М.Ю., Павлович, І.І.
• Формат: Стаття
• Мова: Ukrainian
• Опубліковано: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2012
• Назва видання: Оптоэлектроника и полупроводниковая техника
• Онлайн доступ: http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/116720
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Цитувати: Електричні властивості структур In/p-PbTe / Г.П. Маланич, А.В. Сукач, В.В. Тетьоркін, А.Т. Ворощенко, М.Ю. Кравецький, І.І. Павлович // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: Сб. научн. тр. — 2012. — Вип. 47. — С. 84-90. — Бібліогр.: 18 назв. — укр.

Досліджено механізми формування бар’єра у контактах In/p-PbTe. Встановлено, що у разі короткотермінової низькотемпературної обробки контактів формується мілкий p–n-перехід унаслідок дифузії індію в приповерхневий шар, який визначає механізми проходження темнового струму. Показано, що в інтервалі температур 77–146 К за напруг зворотного зміщення ≤ 150 мВ домінує генераційно-рекомбінаційний механізм, а за температур 150–220 К – дифузійний. При великих зворотних зміщеннях та азотних температурах реалізується тунельний механізм пробою переходів. Оцінено параметри приконтактного шару і встановлено, що у ньому відбувається компенсація власних дефектів домішкою індію. Отримані результати слід враховувати при виготовленні омічних контактів до p-PbTe.