Електричні властивості структур In/p-PbTe

Електричні властивості структур In/p-PbTe

Досліджено механізми формування бар’єра у контактах In/p-PbTe. Встановлено, що у разі короткотермінової низькотемпературної обробки контактів формується мілкий p–n-перехід унаслідок дифузії індію в приповерхневий шар, який визначає механізми проходження темнового струму. Показано, що в інтервалі тем...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Дата:2012
Автори: Маланич, Г.П., Сукач, А.В., Тетьоркін, В.В., Ворощенко, А.Т., Кравецький, М.Ю., Павлович, І.І.
Формат: Стаття
Мова:Ukrainian
Опубліковано: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2012
Назва видання:Оптоэлектроника и полупроводниковая техника
Онлайн доступ:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/116720
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:Електричні властивості структур In/p-PbTe / Г.П. Маланич, А.В. Сукач, В.В. Тетьоркін, А.Т. Ворощенко, М.Ю. Кравецький, І.І. Павлович // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: Сб. научн. тр. — 2012. — Вип. 47. — С. 84-90. — Бібліогр.: 18 назв. — укр.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id irk-123456789-116720
record_format dspace
spelling irk-123456789-1167202017-05-15T03:02:42Z Електричні властивості структур In/p-PbTe Маланич, Г.П. Сукач, А.В. Тетьоркін, В.В. Ворощенко, А.Т. Кравецький, М.Ю. Павлович, І.І. Досліджено механізми формування бар’єра у контактах In/p-PbTe. Встановлено, що у разі короткотермінової низькотемпературної обробки контактів формується мілкий p–n-перехід унаслідок дифузії індію в приповерхневий шар, який визначає механізми проходження темнового струму. Показано, що в інтервалі температур 77–146 К за напруг зворотного зміщення ≤ 150 мВ домінує генераційно-рекомбінаційний механізм, а за температур 150–220 К – дифузійний. При великих зворотних зміщеннях та азотних температурах реалізується тунельний механізм пробою переходів. Оцінено параметри приконтактного шару і встановлено, що у ньому відбувається компенсація власних дефектів домішкою індію. Отримані результати слід враховувати при виготовленні омічних контактів до p-PbTe. The mechanisms of the barrier formation in In/p-PbTe contacts are invesigated. It is established that during the short low-temperature processing of contacts the shallow p-n-junction is formed due to diffusion of indium in the undersurface layer which determines the dark current mechanisms. It is shown that in the temperature range 77- 146 K for reverse bias voltages ≤ 150 mV the dark current is dominated by generacionrecombination mechanism, and in the temperature range 150-200 K - by diffusion. For lange reverse bias and liquid nitrogen temperatures the tunnel breakdown is realized. Parameters of a layer which is formed under contact's metal is estimated and it is found that in this layer intrinsic defects are compensated by doped indium. The results obtained in this investigation should be taken into account when making ohmic contacts to p-PbTe. 2012 Article Електричні властивості структур In/p-PbTe / Г.П. Маланич, А.В. Сукач, В.В. Тетьоркін, А.Т. Ворощенко, М.Ю. Кравецький, І.І. Павлович // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: Сб. научн. тр. — 2012. — Вип. 47. — С. 84-90. — Бібліогр.: 18 назв. — укр. 0233-7577 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/116720 621.315.592 uk Оптоэлектроника и полупроводниковая техника Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
language Ukrainian
description Досліджено механізми формування бар’єра у контактах In/p-PbTe. Встановлено, що у разі короткотермінової низькотемпературної обробки контактів формується мілкий p–n-перехід унаслідок дифузії індію в приповерхневий шар, який визначає механізми проходження темнового струму. Показано, що в інтервалі температур 77–146 К за напруг зворотного зміщення ≤ 150 мВ домінує генераційно-рекомбінаційний механізм, а за температур 150–220 К – дифузійний. При великих зворотних зміщеннях та азотних температурах реалізується тунельний механізм пробою переходів. Оцінено параметри приконтактного шару і встановлено, що у ньому відбувається компенсація власних дефектів домішкою індію. Отримані результати слід враховувати при виготовленні омічних контактів до p-PbTe.
format Article
author Маланич, Г.П.
Сукач, А.В.
Тетьоркін, В.В.
Ворощенко, А.Т.
Кравецький, М.Ю.
Павлович, І.І.
spellingShingle Маланич, Г.П.
Сукач, А.В.
Тетьоркін, В.В.
Ворощенко, А.Т.
Кравецький, М.Ю.
Павлович, І.І.
Електричні властивості структур In/p-PbTe
Оптоэлектроника и полупроводниковая техника
author_facet Маланич, Г.П.
Сукач, А.В.
Тетьоркін, В.В.
Ворощенко, А.Т.
Кравецький, М.Ю.
Павлович, І.І.
author_sort Маланич, Г.П.
title Електричні властивості структур In/p-PbTe
title_short Електричні властивості структур In/p-PbTe
title_full Електричні властивості структур In/p-PbTe
title_fullStr Електричні властивості структур In/p-PbTe
title_full_unstemmed Електричні властивості структур In/p-PbTe
title_sort електричні властивості структур in/p-pbte
publisher Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
publishDate 2012
url http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/116720
citation_txt Електричні властивості структур In/p-PbTe / Г.П. Маланич, А.В. Сукач, В.В. Тетьоркін, А.Т. Ворощенко, М.Ю. Кравецький, І.І. Павлович // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: Сб. научн. тр. — 2012. — Вип. 47. — С. 84-90. — Бібліогр.: 18 назв. — укр.
series Оптоэлектроника и полупроводниковая техника
work_keys_str_mv AT malaničgp električnívlastivostístrukturinppbte
AT sukačav električnívlastivostístrukturinppbte
AT tetʹorkínvv električnívlastivostístrukturinppbte
AT voroŝenkoat električnívlastivostístrukturinppbte
AT kravecʹkijmû električnívlastivostístrukturinppbte
AT pavlovičíí električnívlastivostístrukturinppbte
first_indexed 2023-10-18T20:28:13Z
last_indexed 2023-10-18T20:28:13Z
_version_ 1796150279472676864

Схожі ресурси