Електричні властивості структур In/p-PbTe
Досліджено механізми формування бар’єра у контактах In/p-PbTe. Встановлено, що у разі короткотермінової низькотемпературної обробки контактів формується мілкий p–n-перехід унаслідок дифузії індію в приповерхневий шар, який визначає механізми проходження темнового струму. Показано, що в інтервалі тем...
Збережено в:
| Дата: | 2012 |
|---|---|
| Автори: | , , , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Ukrainian |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2012
|
| Назва видання: | Оптоэлектроника и полупроводниковая техника |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/116720 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Електричні властивості структур In/p-PbTe / Г.П. Маланич, А.В. Сукач, В.В. Тетьоркін, А.Т. Ворощенко, М.Ю. Кравецький, І.І. Павлович // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: Сб. научн. тр. — 2012. — Вип. 47. — С. 84-90. — Бібліогр.: 18 назв. — укр. |