Механізми перенесення заряду в полікристалічних сандвіч-структурах p⁺-PbTe/p-CdTe/p⁺-PbTe

• Дата: 2013
• Автори: Сукач, А.В., Тетьоркін, В.В., Ткачук, А.І., Ворощенко, А.Т., Кравецький, М.Ю., Луцишин, І.Г.
• Формат: Стаття
• Мова: Ukrainian
• Опубліковано: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2013
• Назва видання: Оптоэлектроника и полупроводниковая техника
• Онлайн доступ: http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/116736
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Цитувати: Механізми перенесення заряду в полікристалічних сандвіч-структурах p⁺-PbTe/p-CdTe/p⁺-PbTe / А.В. Сукач, В.В. Тетьоркін, А.І. Ткачук, А.Т. Ворощенко, М.Ю. Кравецький, І.Г. Луцишин // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: Сб. научн. тр. — 2013. — Вип. 48. — С. 130-135. — Бібліогр.: 16 назв. — укр.

Методом гарячої стінки виготовлено полікристалічні сандвічструктури p⁺-PbTe/p-CdTe/p⁺-PbTе на сіталових підкладках. Показано, що при використанні сильно легованого PbTе на гетеромежі p⁺-PbTe/p-CdTe не утворюється потенціальний бар’єр, тому можна формувати омічні гетероконтакти типу метал–p⁺-PbTe/p-CdTe. ВАХ таких контактів зумовлена монополярною інжекцією дірок із p⁺-PbTe. Досліджено вертикальний та латеральний транспорт носіїв заряду і визначено енергії активації темнового струму. Латеральний транспорт пояснюється наявністю потенціального бар’єра на міжзеренній межі у полікристалічних шарах p-CdTe. При цьому механізм перенесення заряду є термоемісійним. Виконано оцінку висоти потенц іального бар’єра, яка становила ~ 0,1 еВ за кімнатної температури.