Механізми перенесення заряду в полікристалічних сандвіч-структурах p⁺-PbTe/p-CdTe/p⁺-PbTe

Методом гарячої стінки виготовлено полікристалічні сандвічструктури p⁺-PbTe/p-CdTe/p⁺-PbTе на сіталових підкладках. Показано, що при використанні сильно легованого PbTе на гетеромежі p⁺-PbTe/p-CdTe не утворюється потенціальний бар’єр, тому можна формувати омічні гетероконтакти типу метал–p⁺-PbTe/p-C...

Повний опис

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Дата:	2013
Автори:	Сукач, А.В., Тетьоркін, В.В., Ткачук, А.І., Ворощенко, А.Т., Кравецький, М.Ю., Луцишин, І.Г.
Формат:	Стаття
Мова:	Ukrainian
Опубліковано:	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2013
Назва видання:	Оптоэлектроника и полупроводниковая техника
Онлайн доступ:	http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/116736
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:	Механізми перенесення заряду в полікристалічних сандвіч-структурах p⁺-PbTe/p-CdTe/p⁺-PbTe / А.В. Сукач, В.В. Тетьоркін, А.І. Ткачук, А.Т. Ворощенко, М.Ю. Кравецький, І.Г. Луцишин // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: Сб. научн. тр. — 2013. — Вип. 48. — С. 130-135. — Бібліогр.: 16 назв. — укр.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

id	irk-123456789-116736
record_format	dspace
spelling	irk-123456789-1167362017-05-15T03:02:30Z Механізми перенесення заряду в полікристалічних сандвіч-структурах p⁺-PbTe/p-CdTe/p⁺-PbTe Сукач, А.В. Тетьоркін, В.В. Ткачук, А.І. Ворощенко, А.Т. Кравецький, М.Ю. Луцишин, І.Г. Методом гарячої стінки виготовлено полікристалічні сандвічструктури p⁺-PbTe/p-CdTe/p⁺-PbTе на сіталових підкладках. Показано, що при використанні сильно легованого PbTе на гетеромежі p⁺-PbTe/p-CdTe не утворюється потенціальний бар’єр, тому можна формувати омічні гетероконтакти типу метал–p⁺-PbTe/p-CdTe. ВАХ таких контактів зумовлена монополярною інжекцією дірок із p⁺-PbTe. Досліджено вертикальний та латеральний транспорт носіїв заряду і визначено енергії активації темнового струму. Латеральний транспорт пояснюється наявністю потенціального бар’єра на міжзеренній межі у полікристалічних шарах p-CdTe. При цьому механізм перенесення заряду є термоемісійним. Виконано оцінку висоти потенц іального бар’єра, яка становила ~ 0,1 еВ за кімнатної температури. Polycrystalline sandwich structures p⁺-PbTe/p-CdTe/p⁺-PbTe were prepared by a hot wall technique on glassceramic substrates. It is shown that potential barrier at the p⁺-PbTe/p-CdTe interface is not formed in the case of usage of heavily doped lead telluride. That allows one to create ohmic heterocontact of «metal-p⁺-PbTe/p-CdTe» type. The current-voltage characteristics of such contacts is determined by unipolar injection of holes from the p⁺-PbTe into cadmium telluride. The vertical and lateral transport of carriers is investigated in p-CdTe and the activation energy of the dark conductivity is determined. The lateral transport is explained by presence of potential barriers at the grain boundaries. The mechanism of carrier transport is thermionic emission. The potential barrier height is estimated to be ~ 0,1 eV at room temperature. 2013 Article Механізми перенесення заряду в полікристалічних сандвіч-структурах p⁺-PbTe/p-CdTe/p⁺-PbTe / А.В. Сукач, В.В. Тетьоркін, А.І. Ткачук, А.Т. Ворощенко, М.Ю. Кравецький, І.Г. Луцишин // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: Сб. научн. тр. — 2013. — Вип. 48. — С. 130-135. — Бібліогр.: 16 назв. — укр. 0233-7577 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/116736 621.315.592 uk Оптоэлектроника и полупроводниковая техника Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
institution	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection	DSpace DC
language	Ukrainian
description	Методом гарячої стінки виготовлено полікристалічні сандвічструктури p⁺-PbTe/p-CdTe/p⁺-PbTе на сіталових підкладках. Показано, що при використанні сильно легованого PbTе на гетеромежі p⁺-PbTe/p-CdTe не утворюється потенціальний бар’єр, тому можна формувати омічні гетероконтакти типу метал–p⁺-PbTe/p-CdTe. ВАХ таких контактів зумовлена монополярною інжекцією дірок із p⁺-PbTe. Досліджено вертикальний та латеральний транспорт носіїв заряду і визначено енергії активації темнового струму. Латеральний транспорт пояснюється наявністю потенціального бар’єра на міжзеренній межі у полікристалічних шарах p-CdTe. При цьому механізм перенесення заряду є термоемісійним. Виконано оцінку висоти потенц іального бар’єра, яка становила ~ 0,1 еВ за кімнатної температури.
format	Article
author	Сукач, А.В. Тетьоркін, В.В. Ткачук, А.І. Ворощенко, А.Т. Кравецький, М.Ю. Луцишин, І.Г.
spellingShingle	Сукач, А.В. Тетьоркін, В.В. Ткачук, А.І. Ворощенко, А.Т. Кравецький, М.Ю. Луцишин, І.Г. Механізми перенесення заряду в полікристалічних сандвіч-структурах p⁺-PbTe/p-CdTe/p⁺-PbTe Оптоэлектроника и полупроводниковая техника
author_facet	Сукач, А.В. Тетьоркін, В.В. Ткачук, А.І. Ворощенко, А.Т. Кравецький, М.Ю. Луцишин, І.Г.
author_sort	Сукач, А.В.
title	Механізми перенесення заряду в полікристалічних сандвіч-структурах p⁺-PbTe/p-CdTe/p⁺-PbTe
title_short	Механізми перенесення заряду в полікристалічних сандвіч-структурах p⁺-PbTe/p-CdTe/p⁺-PbTe
title_full	Механізми перенесення заряду в полікристалічних сандвіч-структурах p⁺-PbTe/p-CdTe/p⁺-PbTe
title_fullStr	Механізми перенесення заряду в полікристалічних сандвіч-структурах p⁺-PbTe/p-CdTe/p⁺-PbTe
title_full_unstemmed	Механізми перенесення заряду в полікристалічних сандвіч-структурах p⁺-PbTe/p-CdTe/p⁺-PbTe
title_sort	механізми перенесення заряду в полікристалічних сандвіч-структурах p⁺-pbte/p-cdte/p⁺-pbte
publisher	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
publishDate	2013
url	http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/116736
citation_txt	Механізми перенесення заряду в полікристалічних сандвіч-структурах p⁺-PbTe/p-CdTe/p⁺-PbTe / А.В. Сукач, В.В. Тетьоркін, А.І. Ткачук, А.Т. Ворощенко, М.Ю. Кравецький, І.Г. Луцишин // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: Сб. научн. тр. — 2013. — Вип. 48. — С. 130-135. — Бібліогр.: 16 назв. — укр.
series	Оптоэлектроника и полупроводниковая техника
work_keys_str_mv	AT sukačav mehanízmiperenesennâzarâduvpolíkristalíčnihsandvíčstrukturahppbtepcdteppbte AT tetʹorkínvv mehanízmiperenesennâzarâduvpolíkristalíčnihsandvíčstrukturahppbtepcdteppbte AT tkačukaí mehanízmiperenesennâzarâduvpolíkristalíčnihsandvíčstrukturahppbtepcdteppbte AT voroŝenkoat mehanízmiperenesennâzarâduvpolíkristalíčnihsandvíčstrukturahppbtepcdteppbte AT kravecʹkijmû mehanízmiperenesennâzarâduvpolíkristalíčnihsandvíčstrukturahppbtepcdteppbte AT lucišiníg mehanízmiperenesennâzarâduvpolíkristalíčnihsandvíčstrukturahppbtepcdteppbte
first_indexed	2023-10-18T20:28:16Z
last_indexed	2023-10-18T20:28:16Z
_version_	1796150281175564288

Механізми перенесення заряду в полікристалічних сандвіч-структурах p⁺-PbTe/p-CdTe/p⁺-PbTe

Репозитарії

Схожі ресурси