Механізми перенесення заряду в полікристалічних сандвіч-структурах p⁺-PbTe/p-CdTe/p⁺-PbTe
Методом гарячої стінки виготовлено полікристалічні сандвічструктури p⁺-PbTe/p-CdTe/p⁺-PbTе на сіталових підкладках. Показано, що при використанні сильно легованого PbTе на гетеромежі p⁺-PbTe/p-CdTe не утворюється потенціальний бар’єр, тому можна формувати омічні гетероконтакти типу метал–p⁺-PbTe/p-C...
Збережено в:
| Дата: | 2013 |
|---|---|
| Автори: | , , , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Ukrainian |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2013
|
| Назва видання: | Оптоэлектроника и полупроводниковая техника |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/116736 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Механізми перенесення заряду в полікристалічних сандвіч-структурах p⁺-PbTe/p-CdTe/p⁺-PbTe / А.В. Сукач, В.В. Тетьоркін, А.І. Ткачук, А.Т. Ворощенко, М.Ю. Кравецький, І.Г. Луцишин // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: Сб. научн. тр. — 2013. — Вип. 48. — С. 130-135. — Бібліогр.: 16 назв. — укр. |