2025-02-23T05:18:05-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: Query fl=%2A&wt=json&json.nl=arrarr&q=id%3A%22irk-123456789-116752%22&qt=morelikethis&rows=5
2025-02-23T05:18:05-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: => GET http://localhost:8983/solr/biblio/select?fl=%2A&wt=json&json.nl=arrarr&q=id%3A%22irk-123456789-116752%22&qt=morelikethis&rows=5
2025-02-23T05:18:05-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: <= 200 OK
2025-02-23T05:18:05-05:00 DEBUG: Deserialized SOLR response
Зіставлення електрофізичних властивостей кристалів кремнію, легованих домішкою фосфору крізь розплав і методом ядерної трансмутації
Проведено порівняльний аналіз електрофізичних властивостей кристалів кремнію n-типу, легованих домішкою фосфору двома різними способами (крізь розплав і методом ядерної трансмутації). Показано, що при вивченні кінетичних ефектів трансмутаційно легований кремній не можна ототожнювати з подібним крист...
Saved in:
| Main Authors: | , |
|---|---|
| Format: | Article |
| Language: | Ukrainian |
| Published: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2015
|
| Series: | Оптоэлектроника и полупроводниковая техника |
| Online Access: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/116752 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| id |
irk-123456789-116752 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
irk-123456789-1167522017-05-15T03:02:53Z Зіставлення електрофізичних властивостей кристалів кремнію, легованих домішкою фосфору крізь розплав і методом ядерної трансмутації Баранський, П.І. Гайдар, Г.П. Проведено порівняльний аналіз електрофізичних властивостей кристалів кремнію n-типу, легованих домішкою фосфору двома різними способами (крізь розплав і методом ядерної трансмутації). Показано, що при вивченні кінетичних ефектів трансмутаційно легований кремній не можна ототожнювати з подібним кристалом n-Si, легованим домішкою фосфору крізь розплав. A comparative analysis of the electrophysical properties of n-type silicon crystals, doped with phosphorus in two different ways (through the melt and by using nuclear transmutation), has been carried out. It has been shown that when studying the kinetic effects, transmutation doped silicon cannot be identified with a similar n-Si crystal doped with phosphorus through the melt. 2015 Article Зіставлення електрофізичних властивостей кристалів кремнію, легованих домішкою фосфору крізь розплав і методом ядерної трансмутації / П.І. Баранський, Г.П. Гайдар // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: Сб. научн. тр. — 2015. — Вип. 50. — С. 73-78. — Бібліогр.: 9 назв. — укр. 0233-7577 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/116752 621.315.592 uk Оптоэлектроника и полупроводниковая техника Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| language |
Ukrainian |
| description |
Проведено порівняльний аналіз електрофізичних властивостей кристалів кремнію n-типу, легованих домішкою фосфору двома різними способами (крізь розплав і методом ядерної трансмутації). Показано, що при вивченні кінетичних ефектів трансмутаційно легований кремній не можна ототожнювати з подібним кристалом n-Si, легованим домішкою фосфору крізь розплав. |
| format |
Article |
| author |
Баранський, П.І. Гайдар, Г.П. |
| spellingShingle |
Баранський, П.І. Гайдар, Г.П. Зіставлення електрофізичних властивостей кристалів кремнію, легованих домішкою фосфору крізь розплав і методом ядерної трансмутації Оптоэлектроника и полупроводниковая техника |
| author_facet |
Баранський, П.І. Гайдар, Г.П. |
| author_sort |
Баранський, П.І. |
| title |
Зіставлення електрофізичних властивостей кристалів кремнію, легованих домішкою фосфору крізь розплав і методом ядерної трансмутації |
| title_short |
Зіставлення електрофізичних властивостей кристалів кремнію, легованих домішкою фосфору крізь розплав і методом ядерної трансмутації |
| title_full |
Зіставлення електрофізичних властивостей кристалів кремнію, легованих домішкою фосфору крізь розплав і методом ядерної трансмутації |
| title_fullStr |
Зіставлення електрофізичних властивостей кристалів кремнію, легованих домішкою фосфору крізь розплав і методом ядерної трансмутації |
| title_full_unstemmed |
Зіставлення електрофізичних властивостей кристалів кремнію, легованих домішкою фосфору крізь розплав і методом ядерної трансмутації |
| title_sort |
зіставлення електрофізичних властивостей кристалів кремнію, легованих домішкою фосфору крізь розплав і методом ядерної трансмутації |
| publisher |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| publishDate |
2015 |
| url |
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/116752 |
| citation_txt |
Зіставлення електрофізичних властивостей кристалів кремнію, легованих домішкою фосфору крізь розплав і методом ядерної трансмутації / П.І. Баранський, Г.П. Гайдар // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: Сб. научн. тр. — 2015. — Вип. 50. — С. 73-78. — Бібліогр.: 9 назв. — укр. |
| series |
Оптоэлектроника и полупроводниковая техника |
| work_keys_str_mv |
AT baransʹkijpí zístavlennâelektrofízičnihvlastivostejkristalívkremníûlegovanihdomíškoûfosforukrízʹrozplavímetodomâdernoítransmutacíí AT gajdargp zístavlennâelektrofízičnihvlastivostejkristalívkremníûlegovanihdomíškoûfosforukrízʹrozplavímetodomâdernoítransmutacíí |
| first_indexed |
2023-10-18T20:28:17Z |
| last_indexed |
2023-10-18T20:28:17Z |
| _version_ |
1796150282453778432 |