Магнитотранспорт в 2D-структурах n-InGaAs/GaAs с двойными квантовыми ямами в области перехода из диэлектрического состояния в режим квантового эффекта Холла
Получены расчетные зависимости компонент тензоров проводимости и сопротивления от температуры и магнитного поля с учетом квантовых поправок от эффектов слабой локализации (СЛ) и электрон- электронного взаимодействия (ЭЭВ) в диффузионном и баллистическом режимах. Поправки к проводимости от СЛ и ЭЭВ в...
Збережено в:
| Видавець: | Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України |
|---|---|
| Дата: | 2009 |
| Автори: | , , , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Russian |
| Опубліковано: |
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
2009
|
| Назва видання: | Физика низких температур |
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/116762 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Цитувати: | Магнитотранспорт в 2D-структурах n-InGaAs/GaAs с двойными квантовыми ямами в области перехода из диэлектрического состояния в режим квантового эффекта Холла / Ю.Г. Арапов, И.В. Карсканов, В.Н. Неверов, Г.И. Харус, Н.Г. Шелушинина, М.В. Якунин // Физика низких температур. — 2009. — Т. 35, № 1. — С. 44-58. — Бібліогр.: 25 назв. — рос. |
Репозиторії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
irk-123456789-116762 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| language |
Russian |
| topic |
XVII Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников XVII Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников |
| spellingShingle |
XVII Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников XVII Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников Арапов, Ю.Г. Карсканов, И.В. Неверов, В.Н. Харус, Г.И. Шелушинина, Н.Г. Якунин, М.В. Магнитотранспорт в 2D-структурах n-InGaAs/GaAs с двойными квантовыми ямами в области перехода из диэлектрического состояния в режим квантового эффекта Холла Физика низких температур |
| description |
Получены расчетные зависимости компонент тензоров проводимости и сопротивления от температуры и магнитного поля с учетом квантовых поправок от эффектов слабой локализации (СЛ) и электрон- электронного взаимодействия (ЭЭВ) в диффузионном и баллистическом режимах. Поправки к проводимости от СЛ и ЭЭВ в баллистическом режиме, а также влияние спиновых и осцилляционных эффектов учтены путем перенормировки транспортного времени релаксации импульса электронов, что привело к появлению зависимости друдевской проводимости от температуры. Расчет компонент тензоров проводимости и сопротивления проведен с использованием теоретических значений параметров теории квантовых поправок, определяемых только значениями концентрации и подвижности конкретного образца. Результаты расчета сравнивали с экспериментальными результатами для 2D-структуры n-InGaAs/GaAs c двойными квантовыми ямами. Показано, что учет только квантовых поправок с теоретическими значениями параметров не позволяет даже качественно описать эксперимент, поэтому необходимо учитывать дополнительные, зависящие от температуры, вклады в друдевскую проводимость. |
| format |
Article |
| author |
Арапов, Ю.Г. Карсканов, И.В. Неверов, В.Н. Харус, Г.И. Шелушинина, Н.Г. Якунин, М.В. |
| author_facet |
Арапов, Ю.Г. Карсканов, И.В. Неверов, В.Н. Харус, Г.И. Шелушинина, Н.Г. Якунин, М.В. |
| author_sort |
Арапов, Ю.Г. |
| title |
Магнитотранспорт в 2D-структурах n-InGaAs/GaAs с двойными квантовыми ямами в области перехода из диэлектрического состояния в режим квантового эффекта Холла |
| title_short |
Магнитотранспорт в 2D-структурах n-InGaAs/GaAs с двойными квантовыми ямами в области перехода из диэлектрического состояния в режим квантового эффекта Холла |
| title_full |
Магнитотранспорт в 2D-структурах n-InGaAs/GaAs с двойными квантовыми ямами в области перехода из диэлектрического состояния в режим квантового эффекта Холла |
| title_fullStr |
Магнитотранспорт в 2D-структурах n-InGaAs/GaAs с двойными квантовыми ямами в области перехода из диэлектрического состояния в режим квантового эффекта Холла |
| title_full_unstemmed |
Магнитотранспорт в 2D-структурах n-InGaAs/GaAs с двойными квантовыми ямами в области перехода из диэлектрического состояния в режим квантового эффекта Холла |
| title_sort |
магнитотранспорт в 2d-структурах n-ingaas/gaas с двойными квантовыми ямами в области перехода из диэлектрического состояния в режим квантового эффекта холла |
| publisher |
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України |
| publishDate |
2009 |
| topic_facet |
XVII Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников |
| url |
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/116762 |
| citation_txt |
Магнитотранспорт в 2D-структурах n-InGaAs/GaAs с двойными квантовыми ямами в области перехода из диэлектрического состояния в режим квантового эффекта Холла / Ю.Г. Арапов, И.В. Карсканов, В.Н. Неверов, Г.И. Харус, Н.Г. Шелушинина, М.В. Якунин // Физика низких температур. — 2009. — Т. 35, № 1. — С. 44-58. — Бібліогр.: 25 назв. — рос. |
| series |
Физика низких температур |
| work_keys_str_mv |
AT arapovûg magnitotransportv2dstrukturahningaasgaassdvojnymikvantovymiâmamivoblastiperehodaizdiélektričeskogosostoâniâvrežimkvantovogoéffektaholla AT karskanoviv magnitotransportv2dstrukturahningaasgaassdvojnymikvantovymiâmamivoblastiperehodaizdiélektričeskogosostoâniâvrežimkvantovogoéffektaholla AT neverovvn magnitotransportv2dstrukturahningaasgaassdvojnymikvantovymiâmamivoblastiperehodaizdiélektričeskogosostoâniâvrežimkvantovogoéffektaholla AT harusgi magnitotransportv2dstrukturahningaasgaassdvojnymikvantovymiâmamivoblastiperehodaizdiélektričeskogosostoâniâvrežimkvantovogoéffektaholla AT šelušininang magnitotransportv2dstrukturahningaasgaassdvojnymikvantovymiâmamivoblastiperehodaizdiélektričeskogosostoâniâvrežimkvantovogoéffektaholla AT âkuninmv magnitotransportv2dstrukturahningaasgaassdvojnymikvantovymiâmamivoblastiperehodaizdiélektričeskogosostoâniâvrežimkvantovogoéffektaholla |
| first_indexed |
2023-10-18T20:28:19Z |
| last_indexed |
2023-10-18T20:28:19Z |
| _version_ |
1796150283523325952 |
| spelling |
irk-123456789-1167622017-05-16T03:02:27Z Магнитотранспорт в 2D-структурах n-InGaAs/GaAs с двойными квантовыми ямами в области перехода из диэлектрического состояния в режим квантового эффекта Холла Арапов, Ю.Г. Карсканов, И.В. Неверов, В.Н. Харус, Г.И. Шелушинина, Н.Г. Якунин, М.В. XVII Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников Получены расчетные зависимости компонент тензоров проводимости и сопротивления от температуры и магнитного поля с учетом квантовых поправок от эффектов слабой локализации (СЛ) и электрон- электронного взаимодействия (ЭЭВ) в диффузионном и баллистическом режимах. Поправки к проводимости от СЛ и ЭЭВ в баллистическом режиме, а также влияние спиновых и осцилляционных эффектов учтены путем перенормировки транспортного времени релаксации импульса электронов, что привело к появлению зависимости друдевской проводимости от температуры. Расчет компонент тензоров проводимости и сопротивления проведен с использованием теоретических значений параметров теории квантовых поправок, определяемых только значениями концентрации и подвижности конкретного образца. Результаты расчета сравнивали с экспериментальными результатами для 2D-структуры n-InGaAs/GaAs c двойными квантовыми ямами. Показано, что учет только квантовых поправок с теоретическими значениями параметров не позволяет даже качественно описать эксперимент, поэтому необходимо учитывать дополнительные, зависящие от температуры, вклады в друдевскую проводимость. Отримано розрахункові залежності компонент тензорів провідності та опору від температури і магнітного поля з урахуванням квантових виправлень від ефектів слабкої локалізації (СЛ) і електрон-електронної взаємодії (ЕЕВ) у дифузійному та балістичному режимах. Виправлення до провідності від СЛ та ЕЕВ у балістичному режимі, а також вплив спінових і осциляційних ефектів враховано шляхом перенормування транспортного часу релаксації імпульсу електронів, що призвело до появи залежності друдівської провідності від температури. Розрахунок компонент тензорів провідності та опору проведено з використанням теоретичних значень параметрів теорії квантових виправлень, які обумовлені тільки значеннями концентрації та рухливості конкретного зразка. Результати розрахунку порівнювали з експериментальними результатами для 2D-структури n-InGaAs/GaAs c подвійними квантовими ямами. Показано, що урахування тільки квантових поправок із теоретичними значеннями параметрів не дозволяє навіть якісно описати експеримент, тому необхідно враховувати додаткові, залежні від температури, внески в друдевськую провідність. Temperature and magnetic field dependences of conductivity and resistivity tensor components with account of the quantum corrections due to weak localization (WL) and electron-electron interactions (EEI) effects at diffusive and ballistic regimes have been calculated. The quantum corrections to the conductivity due to WL and EEI at the ballistic regime and the influence of spin and oscillation effects have been accounted by the renormalization of momentum relaxation time that results in a temperature dependence of the Drude conductivity. The conductivity and resistivity tensor components are calculated by using the theoretical quantum correction parameter values. The latter depend only on electron density and mobility of a concrete sample. The calculated results were compared with the experimental data for the 2D structures n-InGaAs/GaAs with double quantum wells. It is shown that the account of the quantum corrections with the theoretical values of the parameters does not allow the experimental results to be described even qualitatively — additional, temperature dependent contributions to the Drude conductivity should be taken into account. 2009 Article Магнитотранспорт в 2D-структурах n-InGaAs/GaAs с двойными квантовыми ямами в области перехода из диэлектрического состояния в режим квантового эффекта Холла / Ю.Г. Арапов, И.В. Карсканов, В.Н. Неверов, Г.И. Харус, Н.Г. Шелушинина, М.В. Якунин // Физика низких температур. — 2009. — Т. 35, № 1. — С. 44-58. — Бібліогр.: 25 назв. — рос. PACS: 73.20.Fz, 73.50.Jt, 71.30.+h http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/116762 ru Физика низких температур Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України |