Магнитотранспорт в 2D-структурах n-InGaAs/GaAs с двойными квантовыми ямами в области перехода из диэлектрического состояния в режим квантового эффекта Холла
Получены расчетные зависимости компонент тензоров проводимости и сопротивления от температуры и магнитного поля с учетом квантовых поправок от эффектов слабой локализации (СЛ) и электрон- электронного взаимодействия (ЭЭВ) в диффузионном и баллистическом режимах. Поправки к проводимости от СЛ и ЭЭВ в...
Збережено в:
Видавець: | Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України |
---|---|
Дата: | 2009 |
Автори: | , , , , , |
Формат: | Стаття |
Мова: | Russian |
Опубліковано: |
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
2009
|
Назва видання: | Физика низких температур |
Теми: | |
Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/116762 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Цитувати: | Магнитотранспорт в 2D-структурах n-InGaAs/GaAs с двойными квантовыми ямами в области перехода из диэлектрического состояния в режим квантового эффекта Холла / Ю.Г. Арапов, И.В. Карсканов, В.Н. Неверов, Г.И. Харус, Н.Г. Шелушинина, М.В. Якунин // Физика низких температур. — 2009. — Т. 35, № 1. — С. 44-58. — Бібліогр.: 25 назв. — рос. |
Репозиторії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineБудьте першим, хто залишить коментар!