Неруйнівний контроль та діагностика світлодіодних структур на основі GаN за мікроплазмами (огляд)
Узагальнено матеріал з дослідження мікроплазмового контрольованого пробою в InGaN/GaN гетероструктурах світлодіодів та в різноманітних GaN, GaAs, GaP, SiC, Si, ZnO структурах. Установлено, що характеристики мікроплазм світлодіодних структур прямо пов’язані з їх функціональними параметрами. Показано,...
Збережено в:
| Дата: | 2016 |
|---|---|
| Автори: | , , , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Ukrainian |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2016
|
| Назва видання: | Оптоэлектроника и полупроводниковая техника |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/116781 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Неруйнівний контроль та діагностика світлодіодних структур на основі GаN за мікроплазмами (огляд) / В.П. Велещук, О.І. Власенко, З.К. Власенко, Д.М. Хміль, О.М. Камуз, В.В. Борщ // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: Сб. научн. тр. — 2016. — Вип. 51. — С. 31-42. — Бібліогр.: 75 назв. — укр. |