InSb фотодіоди (Огляд. Частина II)

InSb фотодіоди (Огляд. Частина II)

Проаналізовано найбільш важливі технологічні операції виготовлення дифузійних InSb фотодіодів – хіміко-механічне та хіміко-динамічне полірування поверхні підкладок, пасивацію активної області фотодіодів та способи її реалізації, дифузію акцепторної домішки кадмію. Детально описано способи виготовлен...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Дата:2016
Автори: Сукач, А.В., Тетьоркін, В.В., Матіюк, І.М., Ткачук, А.І.
Формат: Стаття
Мова:Ukrainian
Опубліковано: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2016
Назва видання:Оптоэлектроника и полупроводниковая техника
Онлайн доступ:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/116783
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:InSb фотодіоди (Огляд. Частина II) / А.В. Сукач, В.В. Тетьоркін, І.М. Матіюк, А.І. Ткачук // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: Сб. научн. тр. — 2016. — Вип. 51. — С. 69-90. — Бібліогр.: 82 назв. — укр.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id irk-123456789-116783
record_format dspace
spelling irk-123456789-1167832017-05-16T03:02:35Z InSb фотодіоди (Огляд. Частина II) Сукач, А.В. Тетьоркін, В.В. Матіюк, І.М. Ткачук, А.І. Проаналізовано найбільш важливі технологічні операції виготовлення дифузійних InSb фотодіодів – хіміко-механічне та хіміко-динамічне полірування поверхні підкладок, пасивацію активної області фотодіодів та способи її реалізації, дифузію акцепторної домішки кадмію. Детально описано способи виготовлення дифузійних InSb p-n-переходів, у яких загальний темновий струм визначається сумою генераційно-рекомбінаційної та дифузійної складових. Узагальнено літературні дані з технології виготовлення InSb фотодіодів. Analyzed have been the most important technological operations used for preparing the diffusion InSb photodiodes, namely: chemical-mechanical and chemical-dynamic polishing the surface of substrates, passivation of photodiode active area and methods of its realization, diffusion of cadmium as an acceptor impurity. The methods of manufacturing the diffusion InSb p-n junctions, in which the total dark current is determined by summing the generation-recombination and diffusion components have been described in details. The published data on manufacturing technology of InSb photodiodes have been generalized. 2016 Article InSb фотодіоди (Огляд. Частина II) / А.В. Сукач, В.В. Тетьоркін, І.М. Матіюк, А.І. Ткачук // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: Сб. научн. тр. — 2016. — Вип. 51. — С. 69-90. — Бібліогр.: 82 назв. — укр. 0233-7577 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/116783 621.315.592 uk Оптоэлектроника и полупроводниковая техника Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
language Ukrainian
description Проаналізовано найбільш важливі технологічні операції виготовлення дифузійних InSb фотодіодів – хіміко-механічне та хіміко-динамічне полірування поверхні підкладок, пасивацію активної області фотодіодів та способи її реалізації, дифузію акцепторної домішки кадмію. Детально описано способи виготовлення дифузійних InSb p-n-переходів, у яких загальний темновий струм визначається сумою генераційно-рекомбінаційної та дифузійної складових. Узагальнено літературні дані з технології виготовлення InSb фотодіодів.
format Article
author Сукач, А.В.
Тетьоркін, В.В.
Матіюк, І.М.
Ткачук, А.І.
spellingShingle Сукач, А.В.
Тетьоркін, В.В.
Матіюк, І.М.
Ткачук, А.І.
InSb фотодіоди (Огляд. Частина II)
Оптоэлектроника и полупроводниковая техника
author_facet Сукач, А.В.
Тетьоркін, В.В.
Матіюк, І.М.
Ткачук, А.І.
author_sort Сукач, А.В.
title InSb фотодіоди (Огляд. Частина II)
title_short InSb фотодіоди (Огляд. Частина II)
title_full InSb фотодіоди (Огляд. Частина II)
title_fullStr InSb фотодіоди (Огляд. Частина II)
title_full_unstemmed InSb фотодіоди (Огляд. Частина II)
title_sort insb фотодіоди (огляд. частина ii)
publisher Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
publishDate 2016
url http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/116783
citation_txt InSb фотодіоди (Огляд. Частина II) / А.В. Сукач, В.В. Тетьоркін, І.М. Матіюк, А.І. Ткачук // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: Сб. научн. тр. — 2016. — Вип. 51. — С. 69-90. — Бібліогр.: 82 назв. — укр.
series Оптоэлектроника и полупроводниковая техника
work_keys_str_mv AT sukačav insbfotodíodioglâdčastinaii
AT tetʹorkínvv insbfotodíodioglâdčastinaii
AT matíûkím insbfotodíodioglâdčastinaii
AT tkačukaí insbfotodíodioglâdčastinaii
first_indexed 2023-10-18T20:28:22Z
last_indexed 2023-10-18T20:28:22Z
_version_ 1796150285982236672

Схожі ресурси