Магнітотензо- і тензомагнітоопір n-Ge

Магнітотензо- і тензомагнітоопір n-Ge

У кристалах n-Ge при 77 K в умовах X || J || H || [111] досліджено поздовжній магнітотензоопір у залежності від величини напруженості магнітного поля Н при різних значеннях механічного напруження одновісного стиску Х, а також поздовжній тензомагнітоопір у залежності від Х при різних значеннях Н. Зап...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Дата:2016
Автори: Баранський, П.І., Гайдар, Г.П.
Формат: Стаття
Мова:Ukrainian
Опубліковано: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2016
Назва видання:Оптоэлектроника и полупроводниковая техника
Онлайн доступ:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/116789
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:Магнітотензо- і тензомагнітоопір n-Ge / П.І. Баранський, Г.П. Гайдар // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: Сб. научн. тр. — 2016. — Вип. 51. — С. 128-134. — Бібліогр.: 11 назв. — укр.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id irk-123456789-116789
record_format dspace
spelling irk-123456789-1167892017-05-16T03:02:41Z Магнітотензо- і тензомагнітоопір n-Ge Баранський, П.І. Гайдар, Г.П. У кристалах n-Ge при 77 K в умовах X || J || H || [111] досліджено поздовжній магнітотензоопір у залежності від величини напруженості магнітного поля Н при різних значеннях механічного напруження одновісного стиску Х, а також поздовжній тензомагнітоопір у залежності від Х при різних значеннях Н. Запропоновано важливий для практики метод визначення тензомагнітоопору в умовах гранично великих Н і Х за вимірюваннями лише тензоопору (тобто при Н = 0) в широкому інтервалі Х. 2016 Article Магнітотензо- і тензомагнітоопір n-Ge / П.І. Баранський, Г.П. Гайдар // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: Сб. научн. тр. — 2016. — Вип. 51. — С. 128-134. — Бібліогр.: 11 назв. — укр. 0233-7577 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/116789 621.315.592 uk Оптоэлектроника и полупроводниковая техника Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
language Ukrainian
description У кристалах n-Ge при 77 K в умовах X || J || H || [111] досліджено поздовжній магнітотензоопір у залежності від величини напруженості магнітного поля Н при різних значеннях механічного напруження одновісного стиску Х, а також поздовжній тензомагнітоопір у залежності від Х при різних значеннях Н. Запропоновано важливий для практики метод визначення тензомагнітоопору в умовах гранично великих Н і Х за вимірюваннями лише тензоопору (тобто при Н = 0) в широкому інтервалі Х.
format Article
author Баранський, П.І.
Гайдар, Г.П.
spellingShingle Баранський, П.І.
Гайдар, Г.П.
Магнітотензо- і тензомагнітоопір n-Ge
Оптоэлектроника и полупроводниковая техника
author_facet Баранський, П.І.
Гайдар, Г.П.
author_sort Баранський, П.І.
title Магнітотензо- і тензомагнітоопір n-Ge
title_short Магнітотензо- і тензомагнітоопір n-Ge
title_full Магнітотензо- і тензомагнітоопір n-Ge
title_fullStr Магнітотензо- і тензомагнітоопір n-Ge
title_full_unstemmed Магнітотензо- і тензомагнітоопір n-Ge
title_sort магнітотензо- і тензомагнітоопір n-ge
publisher Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
publishDate 2016
url http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/116789
citation_txt Магнітотензо- і тензомагнітоопір n-Ge / П.І. Баранський, Г.П. Гайдар // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: Сб. научн. тр. — 2016. — Вип. 51. — С. 128-134. — Бібліогр.: 11 назв. — укр.
series Оптоэлектроника и полупроводниковая техника
work_keys_str_mv AT baransʹkijpí magnítotenzoítenzomagnítoopírnge
AT gajdargp magnítotenzoítenzomagnítoopírnge
first_indexed 2023-10-18T20:28:23Z
last_indexed 2023-10-18T20:28:23Z
_version_ 1796150286625013760

Схожі ресурси