Магнітотензо- і тензомагнітоопір n-Ge

Магнітотензо- і тензомагнітоопір n-Ge

У кристалах n-Ge при 77 K в умовах X || J || H || [111] досліджено поздовжній магнітотензоопір у залежності від величини напруженості магнітного поля Н при різних значеннях механічного напруження одновісного стиску Х, а також поздовжній тензомагнітоопір у залежності від Х при різних значеннях Н. Зап...

Повний опис

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Дата:	2016
Автори:	Баранський, П.І., Гайдар, Г.П.
Формат:	Стаття
Мова:	Ukrainian
Опубліковано:	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2016
Назва видання:	Оптоэлектроника и полупроводниковая техника
Онлайн доступ:	http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/116789
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:	Магнітотензо- і тензомагнітоопір n-Ge / П.І. Баранський, Г.П. Гайдар // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: Сб. научн. тр. — 2016. — Вип. 51. — С. 128-134. — Бібліогр.: 11 назв. — укр.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

Схожі ресурси

Вплив ізовалентної домішки Ge і термовідпалів на електрофізичні властивості кристалів кремнію
за авторством: Гайдар, Г.П., та інші
Опубліковано: (2016)

Залежність параметра анізотропії термо-ЕРС захоплення від концентрації домішок у кристалах n-Ge та n-Si
за авторством: Гайдар, Г.П., та інші
Опубліковано: (2017)

Експериментальний доказ незмінності форми ізоенергетичних еліпсоїдів n–Ge в умовах сильної одновісної пружної деформації
за авторством: Гайдар, Г.П., та інші
Опубліковано: (2015)

Вплив високотемпературного відпалу на параметри анізотропії рухливості і анізотропії термо-ЕРС захоплення електронів фононами в n–Si
за авторством: Баранський, П.І., та інші
Опубліковано: (2014)

Радіаційна і термічна стійкість тонких шарів, гетеросистем і наноструктур, створюваних на основі елементарних напівпровідників і напівпровідникових сполук
за авторством: Баранський, П.І., та інші
Опубліковано: (2010)

Вплив термовідпалів при 450 і 650 °С на тензоопір і параметр анізотропії рухливості монокристалів кремнію
за авторством: Баранський, П.І., та інші
Опубліковано: (2014)

Стан і перспективи наноструктурних термоелектричних матеріалів
за авторством: Баранський, П.І., та інші
Опубліковано: (2009)

Ізотропність розсіяння на флуктуаціях легуючої домішки в сильно легованому n-кремнії
за авторством: Баранський, П.І., та інші
Опубліковано: (2010)

Фізичні фактори, що зумовлюють анізотропію термоерс і анізотропію рухливості в багатодолинних напівпровідниках
за авторством: Баранський, П.І., та інші
Опубліковано: (2013)

Зіставлення електрофізичних властивостей кристалів кремнію, легованих домішкою фосфору крізь розплав і методом ядерної трансмутації
за авторством: Баранський, П.І., та інші
Опубліковано: (2015)

До методології визначення тензоопору n-Ge та n-Si у кристалографічних напрямках 〈110〉
за авторством: Гайдар, Г.П.
Опубліковано: (2019)

Зміна електрофізичних властивостей сильно легованих монокристалів n-Ge 〈As〉 під впливом термовідпалів
за авторством: Гайдар, Г.П.
Опубліковано: (2018)

Визначення параметра анізотропії термоерс захоплення в багатодолинних напівпровідниках
за авторством: Баранський, П.І., та інші
Опубліковано: (2012)

Про особливості анізотропії термоелектричних ефектів у напівпровідниках, пов’язаної зі специфікою прояву багатьох долин
за авторством: Баранський, П.І., та інші
Опубліковано: (2012)

Концентраційна залежність тензоопору монокристалів n–Si
за авторством: Баранський, П.І., та інші
Опубліковано: (2013)

Особливості зміни структури й електрофізичних характеристик n-Si під впливом різних режимів термообробки
за авторством: Гайдар, Г.П.
Опубліковано: (2020)

Епітаксійне вирощування нанооб'єктів і умови прояву ефекту самоорганізації
за авторством: Гайдар, Г.П.
Опубліковано: (2010)

Фундаментальна наука і суспільний поступ
за авторством: Мачулін, В.Ф., та інші
Опубліковано: (2007)

Деформаційні ефекти у кристалах германію діркової провідності
за авторством: Гайдар, Г.П.
Опубліковано: (2023)

До методики визначення поперечного тензоопору в багатодолинних напівпровідниках
за авторством: Гайдар, Г.П.
Опубліковано: (2022)

Magnetotenso- and tensomagnetoresistance of n-Ge
за авторством: P. I. Baranskyi, та інші
Опубліковано: (2016)

Ефекти впорядкування дефектної структури n-Si, індуковані великими флюенсами іонів МеВ-них енергій
за авторством: Гайдар, Г.П., та інші
Опубліковано: (2021)

Вплив взаємодії у системах GeO-GeO₂ та Ge-GeO₂(SnO₂) на оптичні властивості композитів
за авторством: Зінченко, В.Ф., та інші
Опубліковано: (2013)

Peculiariries of thermoannealing in n-Si and n-Ge crystals with oxygen impurity
за авторством: P. I. Baranskii, та інші
Опубліковано: (2012)

Peculiarities of thermoannealing in n-Si and n-Ge crystals with oxygen impurity
за авторством: Baranskii, P.I., та інші
Опубліковано: (2012)

Influence of interaction in the GeO—GeO2 and Ge—GeO2(SnO2) systems on optical properties of composites
за авторством: V. F. Zinchenko, та інші
Опубліковано: (2013)

On the methodology of tensoresistance determination for n-Ge and n-Si in the crystallographic directions 〈110〉
за авторством: H. P. Haidar
Опубліковано: (2019)

The method of shear modulus determination for n-Ge and n-Si single crystals
за авторством: V. I. Shvabiuk, та інші
Опубліковано: (2017)

Радиационная стойкость n- и p-Si, легированного кислородом и германием, при облучении высокоэнергетическими ядерными частицами
за авторством: Долголенко, А.П., та інші
Опубліковано: (2009)

Anisotropy of electron phonon drag thermoEMF in n-Ge
за авторством: P. I. Baranskii, та інші
Опубліковано: (2012)

Spectral photosensitivity of diffused Ge-p–i–n photodiods
за авторством: A. V. Fedorenko
Опубліковано: (2020)

Структура чистих Si−Si, Ge−Ge та змішаних аддимерів Si−Ge на поверхні Si(001)
за авторством: Afanasieva, T.V., та інші
Опубліковано: (2022)

Dielectric relaxation in Se₈₀Ge₂₀ and Se₇₅Ge₂₀Ag₅ chalcogenide glasses
за авторством: Dwivedi, A., та інші
Опубліковано: (2005)

Changes in Hall parameters after -irradiation (60So) of n-Ge
за авторством: G. P. Gaidar
Опубліковано: (2011)

Changes in Hall parameters after γ-irradiation (⁶⁰Со) of n-Ge
за авторством: Gaidar, G.P.
Опубліковано: (2011)

Вплив добавки германію у композиті MNіN2S4–Ge на властивості одержуваних тонкоплівкових покриттів
за авторством: Зінченко, В.Ф., та інші
Опубліковано: (2016)

Фазовий склад і магнеторезистивні властивості тришарових плівок Fe/Ge/Fe
за авторством: Власенко, О.В., та інші
Опубліковано: (2013)

Relaxation of photovoltage in ITO-Ge-Si heterojunction with Ge nanostructured thin films
за авторством: S. A. Iliash, та інші
Опубліковано: (2017)

Высокотемпературные термодинамические характеристики ErGe
за авторством: Горбачук, Н.П., та інші
Опубліковано: (2010)

Особенности осцилляций Шубникова–де Гааза проводимости высокоподвижного двумерного дырочного газа в квантовой яме SiGe/Ge/SiGe
за авторством: Комник, Ю.Ф., та інші
Опубліковано: (2006)