The temperature dependence of the inelastic scattering time in InGaN grown by MOVPE
Low temperature electrical measurements of the resistivity, the Hall effect and the magnetoconductivity were performed on an InGaN sample having an electron concentration far above the critical value for the metalinsulator transition. Weak localization effect and two-band model were used to analyze...
Збережено в:
Дата: | 2010 |
---|---|
Автори: | Yildiz, A., Kasap, M. |
Формат: | Стаття |
Мова: | English |
Опубліковано: |
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
2010
|
Назва видання: | Физика низких температур |
Теми: | |
Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/117016 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
Цитувати: | The temperature dependence of the inelastic scattering time in InGaN grown by MOVPE / A. Yildiz, M. Kasap // Физика низких температур. — 2010. — Т. 36, № 4. — С. 407-412. — Бібліогр.: 25 назв. — англ. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineСхожі ресурси
-
Самосогласованное описание системы взаимодействующих фононов
за авторством: Полуэктов, Ю.М.
Опубліковано: (2015) -
Поверхностные магнитоплазменные волны на границе ферродиэлектрик-полупроводник
за авторством: Фалько, В.Л., та інші
Опубліковано: (1999) -
Polaron Rashba effect in an asymmetric quantum dot
за авторством: Shu-Ping Shan, та інші
Опубліковано: (2014) -
Theory of Aharonov-Bohm oscillations resulting from a charge density wave condensate flowing across an array of columnar defects in magnetic field
за авторством: Rozhavsky, A.S.
Опубліковано: (1998) -
Оптическая спектроскопия экситона с пространственно разделенными электроном и дыркой в гетероструктуре Ge/Si с квантовыми точками германия
за авторством: Покутний, С.И.
Опубліковано: (2018)