The temperature dependence of the inelastic scattering time in InGaN grown by MOVPE
Low temperature electrical measurements of the resistivity, the Hall effect and the magnetoconductivity were performed on an InGaN sample having an electron concentration far above the critical value for the metalinsulator transition. Weak localization effect and two-band model were used to analyze...
Збережено в:
Видавець: | Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України |
---|---|
Дата: | 2010 |
Автори: | , |
Формат: | Стаття |
Мова: | English |
Опубліковано: |
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
2010
|
Назва видання: | Физика низких температур |
Теми: | |
Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/117016 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Цитувати: | The temperature dependence of the inelastic scattering time in InGaN grown by MOVPE / A. Yildiz, M. Kasap // Физика низких температур. — 2010. — Т. 36, № 4. — С. 407-412. — Бібліогр.: 25 назв. — англ. |
Репозиторії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineБудьте першим, хто залишить коментар!