Spectroscopy and micro-luminescence mapping of Xe-implanted defects in diamond
Ion implantation in diamond creates optically active defects which have emission lines in broad spectral regions, and may be used in advanced photonics and optical communication applications. A brief review of the photoluminescence properties of Xe⁺ ion implanted diamond is presented. The Xe-related...
Збережено в:
| Дата: | 2010 |
|---|---|
| Автори: | , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | English |
| Опубліковано: |
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
2010
|
| Назва видання: | Физика низких температур |
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/117031 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Spectroscopy and micro-luminescence mapping of Xe-implanted defects in diamond / Y. Deshko, A.A. Gorokhovsky // Физика низких температур. — 2010. — Т. 36, № 5. — С. 579–586. — Бібліогр.: 26 назв. — англ. |