Исследование особенностей низкоэнергетических электронных возбуждений иона тербия в кристалле KTb(WO₄)₂ методом рамановского рассеяния света
Исследован спектр рамановского рассеяния света в монокристалле KTb(WO₄)₂ в области частот 3–950 см⁻¹ при температуре 5 К. Обнаружены все компоненты основного мультиплета ⁷F₆ иона Tb³⁺, расщепленного в кристаллическом поле с симметрией С₂. Установлено, что первый возбужденный электронный квазидублет...
Збережено в:
| Видавець: | Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України |
|---|---|
| Дата: | 2012 |
| Автори: | , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Russian |
| Опубліковано: |
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
2012
|
| Назва видання: | Физика низких температур |
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/117238 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Цитувати: | Исследование особенностей низкоэнергетических электронных возбуждений иона тербия в кристалле KTb(WO₄)₂ методом рамановского рассеяния света / А.В. Песчанский, В.И. Фомин, А.В. Еременко // Физика низких температур. — 2012. — Т. 38, № 6. — С. 616-626. — Бібліогр.: 8 назв. — рос. |