Исследование особенностей низкоэнергетических электронных возбуждений иона тербия в кристалле KTb(WO₄)₂ методом рамановского рассеяния света

• Видавець: Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
• Дата: 2012
• Автори: Песчанский, А.В., Фомин, В.И., Еременко, А.В.
• Формат: Стаття
• Мова: Russian
• Опубліковано: Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 2012
• Назва видання: Физика низких температур
• Теми: Низкотемпеpатуpный магнетизм
• Онлайн доступ: http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/117238
• Цитувати: Исследование особенностей низкоэнергетических электронных возбуждений иона тербия в кристалле KTb(WO₄)₂ методом рамановского рассеяния света / А.В. Песчанский, В.И. Фомин, А.В. Еременко // Физика низких температур. — 2012. — Т. 38, № 6. — С. 616-626. — Бібліогр.: 8 назв. — рос.

Исследован спектр рамановского рассеяния света в монокристалле KTb(WO₄)₂ в области частот 3–950 см⁻¹ при температуре 5 К. Обнаружены все компоненты основного мультиплета ⁷F₆ иона Tb³⁺, расщепленного в кристаллическом поле с симметрией С₂. Установлено, что первый возбужденный электронный квазидублет состоит из двух синглетных уровней с разной симметрией и отделен щелью ∼75 см⁻¹ от основного квазидублета. Исследовано поведение всех экспериментально обнаруженных уровней во внешнем магнитном поле H ⊥ С₂ и H || С₂. Определены факторы спектроскопического расщепления для основного и возбужденных уровней иона тербия в кристалле KTb(WO₄)₂. Результаты исследований подтверждают, что при низких температурах реализуется случай изинговской анизотропии и исследуемый магнетик можно считать системой двухуровневых магнитных ионов.