Исследование особенностей низкоэнергетических электронных возбуждений иона тербия в кристалле KTb(WO₄)₂ методом рамановского рассеяния света

Исследован спектр рамановского рассеяния света в монокристалле KTb(WO₄)₂ в области частот 3–950 см⁻¹ при температуре 5 К. Обнаружены все компоненты основного мультиплета ⁷F₆ иона Tb³⁺, расщепленного в кристаллическом поле с симметрией С₂. Установлено, что первый возбужденный электронный квазидублет...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Видавець:Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
Дата:2012
Автори: Песчанский, А.В., Фомин, В.И., Еременко, А.В.
Формат: Стаття
Мова:Russian
Опубліковано: Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 2012
Назва видання:Физика низких температур
Теми:
Онлайн доступ:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/117238
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Цитувати:Исследование особенностей низкоэнергетических электронных возбуждений иона тербия в кристалле KTb(WO₄)₂ методом рамановского рассеяния света / А.В. Песчанский, В.И. Фомин, А.В. Еременко // Физика низких температур. — 2012. — Т. 38, № 6. — С. 616-626. — Бібліогр.: 8 назв. — рос.

Репозиторії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id irk-123456789-117238
record_format dspace
spelling irk-123456789-1172382017-05-22T03:02:49Z Исследование особенностей низкоэнергетических электронных возбуждений иона тербия в кристалле KTb(WO₄)₂ методом рамановского рассеяния света Песчанский, А.В. Фомин, В.И. Еременко, А.В. Низкотемпеpатуpный магнетизм Исследован спектр рамановского рассеяния света в монокристалле KTb(WO₄)₂ в области частот 3–950 см⁻¹ при температуре 5 К. Обнаружены все компоненты основного мультиплета ⁷F₆ иона Tb³⁺, расщепленного в кристаллическом поле с симметрией С₂. Установлено, что первый возбужденный электронный квазидублет состоит из двух синглетных уровней с разной симметрией и отделен щелью ∼75 см⁻¹ от основного квазидублета. Исследовано поведение всех экспериментально обнаруженных уровней во внешнем магнитном поле H ⊥ С₂ и H || С₂. Определены факторы спектроскопического расщепления для основного и возбужденных уровней иона тербия в кристалле KTb(WO₄)₂. Результаты исследований подтверждают, что при низких температурах реализуется случай изинговской анизотропии и исследуемый магнетик можно считать системой двухуровневых магнитных ионов. Досліджено спектр раманівського розсіювання світла в монокристалі KTb(WO₄)₂ в області частот 3–950 см⁻¹ при температурі 5 К. Виявленo всі компоненти основного мультиплету ⁷F₆ иона Tb³⁺, що розщеплений у кристалічному полі з симетрією С₂. Встановлено, що перший збуджений електронний квазідублет складається з двох синглетних рівней з різною симетрією та відділений щіллю ∼75 см⁻¹ від основного квазідублету. Досліджено поведінку всіх експериментально виявлених рівней у зовнішньому магнітному полі H ⊥ С₂ и H || С₂. Визначенo фактори спектроскопічного розщеплення для основного та збуджених рівней іону тербію в кристалі KTb(WO₄)₂. Результати досліджень підтверджують, що при низьких температурах реалізується випадок ізінгівської анізотропії та що магнетик, який досліджується, можна вважати системою двохрівневих магнітних іонів. Raman light scattering in the KTb(WO₄)₂ single crystal is investigated in the frequency range of 3–950 cm⁻¹ at 5 K. The ground multiplet ⁷F₆ иона Tb³⁺ ion is splitting by the crystal field with symmetry C₂, and all the multiplet components are detected. It is founded that the first excited electronic quasidoublet consists of two singlet levels of different symmetry, and it is separated from the ground quasidoublet by the gap of ~75 cm⁻¹. The behavior of all detected levels is investigated in external magnetic fields H ⊥ C₂ and H || C₂. The factors of spectroscopic splitting are determined for the ground and excited levels of the Tb³⁺ ion in the KTb(WO₄)₂ crystal. The experimental data support the view that at low temperatures the case of Ising anisotropy is realized, and the crystal under study should be considered as a system of two-level magnetic ions. 2012 Article Исследование особенностей низкоэнергетических электронных возбуждений иона тербия в кристалле KTb(WO₄)₂ методом рамановского рассеяния света / А.В. Песчанский, В.И. Фомин, А.В. Еременко // Физика низких температур. — 2012. — Т. 38, № 6. — С. 616-626. — Бібліогр.: 8 назв. — рос. 0132-6414 PACS: 71.70.Ch, 78.30.–j http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/117238 ru Физика низких температур Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
language Russian
topic Низкотемпеpатуpный магнетизм
Низкотемпеpатуpный магнетизм
spellingShingle Низкотемпеpатуpный магнетизм
Низкотемпеpатуpный магнетизм
Песчанский, А.В.
Фомин, В.И.
Еременко, А.В.
Исследование особенностей низкоэнергетических электронных возбуждений иона тербия в кристалле KTb(WO₄)₂ методом рамановского рассеяния света
Физика низких температур
description Исследован спектр рамановского рассеяния света в монокристалле KTb(WO₄)₂ в области частот 3–950 см⁻¹ при температуре 5 К. Обнаружены все компоненты основного мультиплета ⁷F₆ иона Tb³⁺, расщепленного в кристаллическом поле с симметрией С₂. Установлено, что первый возбужденный электронный квазидублет состоит из двух синглетных уровней с разной симметрией и отделен щелью ∼75 см⁻¹ от основного квазидублета. Исследовано поведение всех экспериментально обнаруженных уровней во внешнем магнитном поле H ⊥ С₂ и H || С₂. Определены факторы спектроскопического расщепления для основного и возбужденных уровней иона тербия в кристалле KTb(WO₄)₂. Результаты исследований подтверждают, что при низких температурах реализуется случай изинговской анизотропии и исследуемый магнетик можно считать системой двухуровневых магнитных ионов.
format Article
author Песчанский, А.В.
Фомин, В.И.
Еременко, А.В.
author_facet Песчанский, А.В.
Фомин, В.И.
Еременко, А.В.
author_sort Песчанский, А.В.
title Исследование особенностей низкоэнергетических электронных возбуждений иона тербия в кристалле KTb(WO₄)₂ методом рамановского рассеяния света
title_short Исследование особенностей низкоэнергетических электронных возбуждений иона тербия в кристалле KTb(WO₄)₂ методом рамановского рассеяния света
title_full Исследование особенностей низкоэнергетических электронных возбуждений иона тербия в кристалле KTb(WO₄)₂ методом рамановского рассеяния света
title_fullStr Исследование особенностей низкоэнергетических электронных возбуждений иона тербия в кристалле KTb(WO₄)₂ методом рамановского рассеяния света
title_full_unstemmed Исследование особенностей низкоэнергетических электронных возбуждений иона тербия в кристалле KTb(WO₄)₂ методом рамановского рассеяния света
title_sort исследование особенностей низкоэнергетических электронных возбуждений иона тербия в кристалле ktb(wo₄)₂ методом рамановского рассеяния света
publisher Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
publishDate 2012
topic_facet Низкотемпеpатуpный магнетизм
url http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/117238
citation_txt Исследование особенностей низкоэнергетических электронных возбуждений иона тербия в кристалле KTb(WO₄)₂ методом рамановского рассеяния света / А.В. Песчанский, В.И. Фомин, А.В. Еременко // Физика низких температур. — 2012. — Т. 38, № 6. — С. 616-626. — Бібліогр.: 8 назв. — рос.
series Физика низких температур
work_keys_str_mv AT pesčanskijav issledovanieosobennostejnizkoénergetičeskihélektronnyhvozbuždenijionaterbiâvkristallektbwo42metodomramanovskogorasseâniâsveta
AT fominvi issledovanieosobennostejnizkoénergetičeskihélektronnyhvozbuždenijionaterbiâvkristallektbwo42metodomramanovskogorasseâniâsveta
AT eremenkoav issledovanieosobennostejnizkoénergetičeskihélektronnyhvozbuždenijionaterbiâvkristallektbwo42metodomramanovskogorasseâniâsveta
first_indexed 2023-10-18T20:29:20Z
last_indexed 2023-10-18T20:29:20Z
_version_ 1796150332289449984