Особенности проводимости 2D электронного кристалла над жидким гелием в сильных ведущих полях

При температуре T=80 мК исследован электронный кристалл с поверхностной плотностью электронов ns=6,2*10⁸ см⁻² над поверхностью сверхтекучего жидкого гелия в зависимости от амплитуды переменного электрического поля (1–30 мВ/см) в плоскости слоя. Исследована частотная зависимость отклика эксперимен...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Дата:2008
Автори: Сивоконь, В.Е., Наседкин, К.А., Неонета, А.С.
Формат: Стаття
Мова:Russian
Опубліковано: Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 2008
Назва видання:Физика низких температур
Теми:
Онлайн доступ:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/117387
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:Особенности проводимости 2D электронного кристалла над жидким гелием в сильных ведущих полях / В.Е. Сивоконь, К.А. Наседкин, А.С. Неонета // Физика низких температур. — 2008. — Т. 34, № 8. — С.761–767. — Бібліогр.: 17 назв. — рос.

Репозиторії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine