Особенности проводимости 2D электронного кристалла над жидким гелием в сильных ведущих полях

Особенности проводимости 2D электронного кристалла над жидким гелием в сильных ведущих полях

При температуре T=80 мК исследован электронный кристалл с поверхностной плотностью электронов ns=6,2*10⁸ см⁻² над поверхностью сверхтекучего жидкого гелия в зависимости от амплитуды переменного электрического поля (1–30 мВ/см) в плоскости слоя. Исследована частотная зависимость отклика эксперимен...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Дата:2008
Автори: Сивоконь, В.Е., Наседкин, К.А., Неонета, А.С.
Формат: Стаття
Мова:Russian
Опубліковано: Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 2008
Назва видання:Физика низких температур
Теми:
Квантовые жидкости и квантовые кpисталлы
Онлайн доступ:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/117387
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:Особенности проводимости 2D электронного кристалла над жидким гелием в сильных ведущих полях / В.Е. Сивоконь, К.А. Наседкин, А.С. Неонета // Физика низких температур. — 2008. — Т. 34, № 8. — С.761–767. — Бібліогр.: 17 назв. — рос.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id irk-123456789-117387
record_format dspace
spelling irk-123456789-1173872017-05-24T03:03:05Z Особенности проводимости 2D электронного кристалла над жидким гелием в сильных ведущих полях Сивоконь, В.Е. Наседкин, К.А. Неонета, А.С. Квантовые жидкости и квантовые кpисталлы При температуре T=80 мК исследован электронный кристалл с поверхностной плотностью электронов ns=6,2*10⁸ см⁻² над поверхностью сверхтекучего жидкого гелия в зависимости от амплитуды переменного электрического поля (1–30 мВ/см) в плоскости слоя. Исследована частотная зависимость отклика экспериментальной ячейки на переменное напряжение при частотах, когда возбуждаются связанные электрон-риплонные резонансы (1–20 МГц), а также зависимость проводимости электронного слоя от ведущего поля при двух фиксированных частотах 4 и 5 МГц. Обнаружена сложная немонотонная зависимость проводимости кристалла от ведущего поля, которая, очевидно, отражает динамический фазовый переход в системе. При температурі T=80 мК досліджено електронний кристал з поверхневою густиною електронів ns=6,2*10⁸ см⁻² над поверхнею надплинного рідкого гелію в залежності від амплитуди змінного електричного поля (1–30 мВ/см) в площині шару. Досліджено частотну залежність відгуку експериментально ї комірки на змінну напругу при частотах, коли збуджуються зв’язані електрон-риплонні резонанси (1–20 МГц), а також залежність провідності електронного шару від ведучого поля при двох фіксованих частотах 4 та 5 МГц. Знайдено складну немонотонну залежність провідності кристалу від ведучого поля, яка, очевидно, відзеркалює динамічний фазовий перехід в системі. At temperature T=80K the electron crystal surface electron density ns=6,2*10⁸ cm⁻² over superfluid liquid helium is studied depending on ac electric field (1–30 ìÂ/cm) in the layer plane. The response of the experimental cell to ac voltage at frequencies (1–20 MHz), where the coupled electron- ripplon resonances are excited, is studied. Besides, the dependence of electron layer conductivity on driving field is measured at two fixed frequencies 4 and 5 MHz. It is found that the conductivity depends on driving field in complicated nonmonotonic way and seems to reflect the dynamic phase transition in the system. 2008 Article Особенности проводимости 2D электронного кристалла над жидким гелием в сильных ведущих полях / В.Е. Сивоконь, К.А. Наседкин, А.С. Неонета // Физика низких температур. — 2008. — Т. 34, № 8. — С.761–767. — Бібліогр.: 17 назв. — рос. 0132-6414 PACS: 73.20.–r;67.90.+z http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/117387 ru Физика низких температур Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
language Russian
topic Квантовые жидкости и квантовые кpисталлы
Квантовые жидкости и квантовые кpисталлы
spellingShingle Квантовые жидкости и квантовые кpисталлы
Квантовые жидкости и квантовые кpисталлы
Сивоконь, В.Е.
Наседкин, К.А.
Неонета, А.С.
Особенности проводимости 2D электронного кристалла над жидким гелием в сильных ведущих полях
Физика низких температур
description При температуре T=80 мК исследован электронный кристалл с поверхностной плотностью электронов ns=6,2*10⁸ см⁻² над поверхностью сверхтекучего жидкого гелия в зависимости от амплитуды переменного электрического поля (1–30 мВ/см) в плоскости слоя. Исследована частотная зависимость отклика экспериментальной ячейки на переменное напряжение при частотах, когда возбуждаются связанные электрон-риплонные резонансы (1–20 МГц), а также зависимость проводимости электронного слоя от ведущего поля при двух фиксированных частотах 4 и 5 МГц. Обнаружена сложная немонотонная зависимость проводимости кристалла от ведущего поля, которая, очевидно, отражает динамический фазовый переход в системе.
format Article
author Сивоконь, В.Е.
Наседкин, К.А.
Неонета, А.С.
author_facet Сивоконь, В.Е.
Наседкин, К.А.
Неонета, А.С.
author_sort Сивоконь, В.Е.
title Особенности проводимости 2D электронного кристалла над жидким гелием в сильных ведущих полях
title_short Особенности проводимости 2D электронного кристалла над жидким гелием в сильных ведущих полях
title_full Особенности проводимости 2D электронного кристалла над жидким гелием в сильных ведущих полях
title_fullStr Особенности проводимости 2D электронного кристалла над жидким гелием в сильных ведущих полях
title_full_unstemmed Особенности проводимости 2D электронного кристалла над жидким гелием в сильных ведущих полях
title_sort особенности проводимости 2d электронного кристалла над жидким гелием в сильных ведущих полях
publisher Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
publishDate 2008
topic_facet Квантовые жидкости и квантовые кpисталлы
url http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/117387
citation_txt Особенности проводимости 2D электронного кристалла над жидким гелием в сильных ведущих полях / В.Е. Сивоконь, К.А. Наседкин, А.С. Неонета // Физика низких температур. — 2008. — Т. 34, № 8. — С.761–767. — Бібліогр.: 17 назв. — рос.
series Физика низких температур
work_keys_str_mv AT sivokonʹve osobennostiprovodimosti2délektronnogokristallanadžidkimgeliemvsilʹnyhveduŝihpolâh
AT nasedkinka osobennostiprovodimosti2délektronnogokristallanadžidkimgeliemvsilʹnyhveduŝihpolâh
AT neonetaas osobennostiprovodimosti2délektronnogokristallanadžidkimgeliemvsilʹnyhveduŝihpolâh
first_indexed 2023-10-18T20:29:40Z
last_indexed 2023-10-18T20:29:40Z
_version_ 1796150346881433600

Схожі ресурси