The role of multicomponent surface diffusion in growth and doping of silicon nanowires
The metal-catalyzed chemical vapor deposition on silicon substrates remains one of the most promising technologies for growing the silicon nanowires up to now. The process involves a wide variety of elementary events (adsorption, desorption, and multicomponent atomic transport with strongly differen...
Збережено в:
| Видавець: | Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
|---|---|
| Дата: | 2007 |
| Автори: | , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | English |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2007
|
| Назва видання: | Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/117659 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Цитувати: | The role of multicomponent surface diffusion in growth and doping of silicon nanowires / A. Efremov, A. Klimovskaya, D. Hourlier // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2007. — Т. 10, № 1. — С. 18-26. — Бібліогр.: 12 назв. — англ. |