The role of multicomponent surface diffusion in growth and doping of silicon nanowires

The metal-catalyzed chemical vapor deposition on silicon substrates remains one of the most promising technologies for growing the silicon nanowires up to now. The process involves a wide variety of elementary events (adsorption, desorption, and multicomponent atomic transport with strongly differen...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Дата:2007
Автори: Efremov, A., Klimovskaya, A., Hourlier, D.
Формат: Стаття
Мова:English
Опубліковано: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2007
Назва видання:Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
Онлайн доступ:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/117659
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:The role of multicomponent surface diffusion in growth and doping of silicon nanowires / A. Efremov, A. Klimovskaya, D. Hourlier // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2007. — Т. 10, № 1. — С. 18-26. — Бібліогр.: 12 назв. — англ.

Репозиторії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

Схожі ресурси