The role of multicomponent surface diffusion in growth and doping of silicon nanowires
The metal-catalyzed chemical vapor deposition on silicon substrates remains one of the most promising technologies for growing the silicon nanowires up to now. The process involves a wide variety of elementary events (adsorption, desorption, and multicomponent atomic transport with strongly differen...
Збережено в:
Дата: | 2007 |
---|---|
Автори: | Efremov, A., Klimovskaya, A., Hourlier, D. |
Формат: | Стаття |
Мова: | English |
Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2007
|
Назва видання: | Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics |
Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/117659 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
Цитувати: | The role of multicomponent surface diffusion in growth and doping of silicon nanowires / A. Efremov, A. Klimovskaya, D. Hourlier // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2007. — Т. 10, № 1. — С. 18-26. — Бібліогр.: 12 назв. — англ. |
Репозиторії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineСхожі ресурси
-
Physico-Chemical model and computer simulations of silicon nanowire growth
за авторством: Efremov, A., та інші
Опубліковано: (2005) -
Growth of silicon self-assembled nanowires by using gold-enhanced CVD technology
за авторством: A. I. Klimovskaya, та інші
Опубліковано: (2018) -
Mechanical strain in the structure of array of silicon nanowires grown on a silicon substrate
за авторством: A. I. Klimovskaya, та інші
Опубліковано: (2019) -
Electron growth of Pb nanoobjects on silicon surfaces
за авторством: D. A. Fokin, та інші
Опубліковано: (2011) -
Surface Effect on the Nanowire Forest Indentation
за авторством: Yang, F.
Опубліковано: (2018)