Impact of sidewall spacer on gate leakage behavior of nano-scale MOSFETs
Semiconductor devices with a low gate leakage current are preferred for low power application. As the devices are scaled down, sidewall spacer for CMOS transistor in nano-domain becomes increasingly critical and plays an important role in device performance evaluation. In this work, gate tunnelin...
Збережено в:
| Дата: | 2011 |
|---|---|
| Автори: | , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | English |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2011
|
| Назва видання: | Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/117721 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Impact of sidewall spacer on gate leakage behavior of nano-scale MOSFETs / Ashwani K. Rana, Narottam Chand, Vinod Kapoor // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2011. — Т. 14, № 2. — С. 203-208. — Бібліогр.: 15 назв. — англ. |