Magnetic force microscopy of YLaFeO films implanted by high dose of nitrogen ions

• Дата: 2013
• Автори: Fodchuk, I.M., Gutsuliak, I.I., Zaplitniy, R.A., Balovsyak, S.V., Yaremiy, I.P., Bonchyk, O.Yu., Savitskiy, G.V., Syvorotka, I.M., Lytvyn, P.M.
• Формат: Стаття
• Мова: English
• Опубліковано: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2013
• Назва видання: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
• Онлайн доступ: http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/117733
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Цитувати: Magnetic force microscopy of YLaFeO films implanted by high dose of nitrogen ions / І.M. Fodchuk, I.I. Gutsuliak, R.A. Zaplitniy, S.V. Balovsyak, І.P. Yaremiy, О.Yu. Bonchyk, G.V. Savitskiy, І.M. Syvorotka, P.M. Lytvyn // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2013. — Т. 16, № 3. — С. 246-252. — Бібліогр.: 24 назв. — англ.

The scattering field gradient maps of surface layer magnetic domains in Y₂.₉₅La₀.₀₅Fe₅O₁₂ iron-yttrium garnet modified by high-dose ion implantation with nitrogen ions N+ were obtained by the method of magnetic force microscopy. It was found that improving the magnetic properties of thin films,...