On features of crystal structure of semiconductor-ferroelectric Ag₃AsS₃

The temperature dependences of the unit cell parameters a(T) and c(T) of Ag₃AsS₃ were measured by the X-ray dilatometry method with high precision within the temperature range 100 to 300 K in the dark mode and under laser irradiation (λ = 532 nm). It was found that the parameter c increases al...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Дата:2013
Автори: Borovoy, N., Gololobov, Yu., Isaienko, G., Salnik, A.
Формат: Стаття
Мова:English
Опубліковано: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2013
Назва видання:Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
Онлайн доступ:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/117735
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:On features of crystal structure of semiconductor-ferroelectric Ag₃AsS₃ / N. Borovoy, Yu. Gololobov, G. Isaienko, A. Salnik // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2013. — Т. 16, № 3. — С. 293-296. — Бібліогр.: 12 назв. — англ.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine