Intrinsic defects in nonstoichiometric B-SiC nanoparticles studied by pulsed magnetic resonance methods

• Видавець: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
• Дата: 2010
• Автори: Savchenko, D.V., Pöppl, A., Kalabukhova, E.N., Venger, E.F., Gadzira, M.P., Gnesin, G.G.
• Формат: Стаття
• Мова: English
• Опубліковано: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2010
• Назва видання: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
• Онлайн доступ: http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/117738
• Цитувати: Intrinsic defects in nonstoichiometric B-SiC nanoparticles studied by pulsed magnetic resonance methods/ D.V. Savchenko, A. Pöppl, E.N. Kalabukhova, E.F. Venger, M.P. Gadzira, G.G. Gnesin // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2010. — Т. 13, № 1. — С. 43-50. — Бібліогр.: 25 назв. — англ.

Nonstoichiometric B-SiC nanoparticles (np-SiC) have been studied by electron paramagnetic resonance (EPR) and pulsed magnetic resonance methods including field swept electron spin echo (FS ESE), pulsed electron nuclear double resonance (ENDOR) and hyperfine sublevel correlation spectroscopy (HYSC...