Acoustic emission and fluctuations of electroluminescence intensity in light-emitting heterostructures

It was shown that in the GaAsP/GaP and InGaN/GaN heterostructures during current passage redistribution of electroluminescence intensity on the structure surface takes place simultaneously with radiation of acoustic emission. Local (on surface area) fluctuations of electroluminescence intensity a...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Дата:2010
Автори: Veleschuk, V.P., Lyashenko, O.V., Vlasenko, Z.K., Kysselyuk, M.P.
Формат: Стаття
Мова:English
Опубліковано: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2010
Назва видання:Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
Онлайн доступ:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/117747
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:Acoustic emission and fluctuations of electroluminescence intensity in light-emitting heterostructures / V.P. Veleschuk, O.V. Lyashenko, Z.K. Vlasenko, M.P. Kysselyuk // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2010. — Т. 13, № 1. — С. 79-83. — Бібліогр.: 13 назв. — англ.

Репозиторії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine