Changes in Hall parameters after γ-irradiation (⁶⁰Со) of n-Ge

• Видавець: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
• Дата: 2011
• Автор: Gaidar, G.P.
• Формат: Стаття
• Мова: English
• Опубліковано: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2011
• Назва видання: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
• Онлайн доступ: http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/117756
• Цитувати: Changes in Hall parameters after γ-irradiation (⁶⁰Со) of n-Ge / G.P. Gaidar // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2011. — Т. 14, № 3. — С. 294-297. — Бібліогр.: 6 назв. — англ.

Studying the γ-irradiation influence on the properties of n-type germanium (n - ‹GeAs›) within the interval of concentrations of the doping arsenic impurity 7.79×10¹³ ≤ NAs ≡ nc ≤ 6.36 × 10¹⁶cm⁻³ has shown that the initial resistivity of single crystals with concentrations NAs ≥ 5×10¹⁵ cm⁻³ remains...