Influence of mutual drag of light and heavy holes on conductivity of p-silicon and p-germanium
Conductivity of p-Si and p-Ge is considered for the two-band model with due regard for mutual drag of light and heavy holes. It is shown that for small and moderate temperatures this drag significantly diminishes the drift velocity of light holes and, as a result, the whole conductivity of crysta...
Збережено в:
| Дата: | 2011 |
|---|---|
| Автор: | |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | English |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2011
|
| Назва видання: | Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/117762 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Influence of mutual drag of light and heavy holes on conductivity of p-silicon and p-germanium/ I.I. Boiko // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2011. — Т. 14, № 3. — С. 357-361. — Бібліогр.: 8 назв. — англ. |