Photoconductivity and photoluminescence features of γ-irradiated GaS₀.₇₅Se₀.₂₅‹Er› single crystals
The effect of γ-radiation with Е = 1.3 MeV energy and Dγ = 10…200 krad dose on photoconductivity and photoluminescence features of GaS₀.₇₅Se₀.₂₅‹Er› single crystals was studied. When analyzing the experimental data it was established that after doping with the rare-earth element erbium N = 10¹...
Збережено в:
| Дата: | 2011 |
|---|---|
| Автор: | |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | English |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2011
|
| Назва видання: | Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/117763 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Photoconductivity and photoluminescence features of γ-irradiated GaS₀.₇₅Se₀.₂₅‹Er› single crystals single crystals / T.B. Taghiyev // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2011. — Т. 14, № 3. — С. 362-364. — Бібліогр.: 10 назв. — англ. |