Light absorption by d-dimensional organic semiconductors under exciton transitions between broad bands
Within the framework of the dipole approximation the line-shape of light absorption for exciton transitions between broad bands in one-, two- and three-dimensional organic semiconductor structures are calculated. Exciton damping due to lattice imperfections is accounted for as a frequency independen...
Збережено в:
| Дата: | 1999 |
|---|---|
| Автор: | |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | English |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
1999
|
| Назва видання: | Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/117858 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Light absorption by d-dimensional organic semiconductors under exciton transitions between broad bands / N. I. Grigorchuk // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 1999. — Т. 2, № 1. — С. 25-30. — Бібліогр.: 21 назв. — англ. |