The influence of irradiation by electrons and γ-quanta on photoelectrical and optical properties of epitaxial Pb₁₋xMnxTe film
We have studied the effect of electron irradiation on photoelectrical and optical properties of Pb₁₋xMnxTe (0.01 ≤ x ≤ 0.05) epitaxial films containing 0.5…1 at. % of gallium with thicknesses of 1…5 µm, obtained by the method of molecular beam epitaxy on substrates BaF₂ (III).
Збережено в:
| Дата: | 2007 |
|---|---|
| Автори: | , , , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | English |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2007
|
| Назва видання: | Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/117888 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | The influence of irradiation by electrons and γ-quanta on photoelectrical and optical properties of epitaxial Pb₁₋xMnxTe film / Sh.M. Abbasov, I.R. Nuruyev*, T.B. Tagiyev, G.T. Agaverdiyeva, T.I. Kerimova,G.T. Ismayilova // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2007. — Т. 10, № 2. — С. 26-28. — Бібліогр.: 6 назв. — англ. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| Резюме: | We have studied the effect of electron irradiation on photoelectrical and optical
properties of Pb₁₋xMnxTe (0.01 ≤ x ≤ 0.05) epitaxial films containing 0.5…1 at. % of
gallium with thicknesses of 1…5 µm, obtained by the method of molecular beam epitaxy
on substrates BaF₂ (III). |
|---|